PULSE INJECTION LASER

FIELD: physics.SUBSTANCE: pulsed injection laser comprises a separate restriction heterostructure, comprising an asymmetric multimode waveguide, limiting layers (3), (8) of which simultaneously are emitters of n- and p-type conductivity with identical refraction indices, active region (6) consisting of at least one quantum-size active layer, optical facets (11), (13), ohmic contacts (2), (10) and an optical resonator formed by optical facets (11), (13). Waveguide region on the side of emitter (3) of n-type conductivity consists of two layers (4), (5) of semiconductor material, having the same refraction index. First layer (5) adjacent to active region (6) has doping level Ncm, and thickness d, mcm, satisfying certain ratios. Second layer (4) adjacent to emitter (3) of n-type conductivity has level of doping not more than background level of doping and thickness d= (d-d).EFFECT: technical result consists in enabling increase in maximum peak power with simultaneous reduction of radiation spectrum width.1 cl, 3 dwg Импульсный инжекционный лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую асимметричный многомодовый волновод, ограничительные слои (3), (8) которого одновременно являются эмиттерами n- и р-типа проводимости с одинаковыми показателями преломления, активную область (6), состоящую, по меньшей мере, из одного квантово-размерного активного слоя, оптические грани (11), (13), омические контакты (2), (10) и оптический резонатор, образованный оптическими гранями (11), (13). Волноводная область со стороны эмиттера (3) n-типа проводимости состоит из двух слоев (4), (5) полупроводникового материала, имеющих одинаковый показатель преломления. Первый слой (5), примыкающий к активной области (6), имеет уровень легирования Nсм, и толщину d, мкм, удовлетворяющие определенным соотношениям. Второй слой (4), примыкающий к эмиттеру (3) n-типа проводимости, имеет уровень легирования не более фонового уровня легирования и толщину d= (d-d). Технический результат заключается в обеспечении возможности увеличения максимальной пиковой мощности при одновременном снижении ширины спектра излучения. 3 ил.