METHOD OF MAKING AIR BRIDGES AS INTERELECTRODE CONNECTIONS OF INTEGRATED CIRCUITS

FIELD: electrical engineering; technological processes.SUBSTANCE: invention can be used for making air bridges. Method of making aerial bridges as interelectrode connections of integrated circuits comprises steps of applying and forming a photoresist for forming a supporting layer, application and formation of photoresist second layer for formation of aerial bridge jumper area, application of metal layer of bridge, removal of both layers of photoresist, then by method of photolithography from metal film (TiAuPd, Cu, etc.) on substrate contact pads and connecting conductors are formed, by photolithography from photoresist, a supporting polymer layer is formed in the area of the future bridge lumen, by heating the strip of the supporting resist above the spreading temperature, formation of the profile of the dome-shaped supporting layer is achieved, applying next layer of photoresist and forming open areas for metallization of future bridge, sputtering bridge film from suitable material, compatible with wiring material, for example TiAuPd, which is characterized by good adhesion, high electroconductivity and sufficient rigidity, placing the substrate in the brewer for fast removal of metal over the resist by explosion (lift-off), as well as slow dissolution of the supporting layer under the bridge.EFFECT: possibility of increasing reproducibility, reducing labor intensity and time of fabrication of jumpers in the form of air bridges, reducing resistance, inductance and capacitance of such bridges, reducing the number of process operations.6 cl, 2 dwg Использование: для изготовления воздушных мостиков. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем содержит стадии нанесения и формирования фоторезиста для формирования поддерживающего слоя, нанесения и формирования второго слоя фоторезиста для формирования области перемычки воздушного мостика, нанесения слоя металла мостика, удаления обоих слоев фоторезиста, далее методом фотолитографии из пленки металла (TiAuPd, Cu и др.) на подложке формируют контактные площадки и соединительные проводники, методом фотолитографии из фоторезиста формируется поддерживающий слой полимера в области будущего просвета мостика, нагревом полоски поддерживающего резиста выше температуры растекания достигают формирования профиля поддерживающего слоя куполообразной формы, наносят следующий слой фоторезиста и формируют открытые области для металлиз