REACTOR FOR PLASMA-CHEMICAL ETCHING OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES

FIELD: microelectronics.SUBSTANCE: invention relates to the field of microelectronics, in particular to reactors of high-density and high-frequency plasma processing, and can be used in the manufacture of semiconductor devices and integrated circuits. Essence of the invention lies in the fact that the reactor for plasma-chemical etching of semiconductor structures contains a transformer made in the form of an RF cable wound on ferrite rings, while the internal core of the RF cable is connected to the output of the RF generator on one side, on the other hand, it is connected to the first terminal of the spiral inductor, the first end of the RF cable sheath is connected to ground, and the second end of the RF cable sheath is connected to the second terminal of the spiral inductor.EFFECT: increasing the efficiency transmitted from the RF-oscillator to the reactor.3 cl, 1 dwg Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к реакторам высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что реактор для плазмохимического травления полупроводниковых структур содержит трансформатор, выполненный в виде ВЧ кабеля, намотанного на ферритовые кольца, при этом внутренняя жила ВЧ кабеля с одной стороны соединена с выходом ВЧ генератора, а с другой стороны подключена к первому выводу спирального индуктора, первый конец оплетки ВЧ кабеля соединен с землей, а второй конец оплетки ВЧ кабеля соединен со вторым выводом спирального индуктора. Технический результат - повышение эффективности, передаваемой от ВЧ генератора мощности в реактор. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.