METHOD OF MANUFACTURING THINNED TWO-SPECTRAL PHOTOSENSITIVE ASSEMBLY

FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention relates to the technology of manufacturing semiconductor two-spectral hybridized assemblies and can be used to create matrix photodetectors (MPD) for various purposes. For the implementation of TTS PSA produce hybridization M×K LSI readings and ma...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Kiseleva Larisa Vasilevna, Boltar Konstantin Olegovich, Akimov Vladimir Mikhajlovich, Savostin Aleksandr Viktorovich, Vlasov Pavel Valentinovich, Stolyarov Dmitrij Sergeevich, Lopukhin Aleksej Alekseevich, Irodov Nikita Aleksandrovich, Grishina Anna Nikolaevna
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention relates to the technology of manufacturing semiconductor two-spectral hybridized assemblies and can be used to create matrix photodetectors (MPD) for various purposes. For the implementation of TTS PSA produce hybridization M×K LSI readings and matrix photosensitive elements (MPSE) and thinning assembly M×K MPSE as a whole with preliminary formation on the front side of the assembly of M×K MPSE grooves of a certain depth. In this case, the separation of the assembly into individual crystals of MPSE occurs through chemical-dynamic thinning to the level of the groove. Further, in one of the manufacturing methods, TTS PSA successively hybridize and disassemble a set of temporary masks (near the surface of the MPSE) using In microcontacts on the assembly M×K LSI readings for spraying through them two multilayer interference filters.EFFECT: invention solves the problem of manufacturing a thinned two-spectral photosensitive assembly (TTS PSA) with reduced weight and size characteristics.7 cl, 5 dwg Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых двухспектральных гибридизированных сборок и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения. Изобретение решает задачу изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки (УД ФЧС) с уменьшенными массогабаритными характеристиками. Для реализации УД ФЧС производят гибридизацию сборки М×K БИС считываний и матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) и утоньшают сборку М×K МФЧЭ как единого целого с предварительным формированием на лицевой стороне сборки М×K МФЧЭ канавки определенной глубины. При этом разделение сборки на отдельные кристаллы МФЧЭ происходит посредством химико-динамического утоньшения до уровня канавки. Далее, в одном из способов изготовления УД ФЧС последовательно гибридизируют и разбирают набор временных масок (вблизи поверхности МФЧЭ) с помощью In микроконтактов на сборку М×K БИС считываний для напыления через них двух многослойных интерференционных фильтров. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.