STRUCTURE OF HETEROJUNCTION PHOTOELECTRIC CONVERTER WITH ANTI-EPITAXIAL SUB-LAYER

FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to silicon semiconductor technology, in particular to silicon photovoltaic converters manufactured according to heterostructure technology. Structure of a heterojunction photoelectric converter (PEC) includes a substrate in the form of a silicon wafer, on both sides of which a layer of passivation is applied in the form of layers of amorphous hydrogenated silicon, n-type semiconductor layer is deposited on one side of the silicon substrate with deposited passivating layers, and a p-type semiconductor layer is deposited on the opposite side, anti-epitaxial layer in the form of amorphous hydrogenated germanium or amorphous hydrogenated silicon-germanium with a thickness of up to 10 nm is applied to the surface of the silicon wafer in front of the passivation layers.EFFECT: invention makes it possible to reduce surface recombination and improve the quality of passivation of the surface of a silicon wafer, the result is increased efficiency of solar cells.3 cl, 2 dwg, 4 ex Изобретение относится к кремниевым полупроводниковым технологиям, в частности к кремниевым фотовольтаическим преобразователям, изготовленным по гетероструктурной технологии. Структура гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) включает подложку в виде пластины кремния, на обе стороны которой нанесены слои пассивации в виде слоев аморфного гидрогенизированного кремния, при этом на одну сторону кремниевой подложки с нанесенными пассивирующими слоями нанесен слой полупроводника n-типа, а на противоположную сторону нанесен слой полупроводника p-типа, при этом перед слоями пассивации на поверхность пластины кремния нанесен противоэпитаксиальный слой в виде аморфного гидрогенизированного германия или аморфного гидрогенизированного кремний-германия толщиной до 10 нм. Изобретение позволяет снизить поверхностную рекомбинацию и повысить качество пассивации поверхности кремниевой пластины, в результате чего возрастает эффективность ФЭП. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.