SUPERCONDUCTOR IN THE NANO-SIZED ELECTRONIC DEVICES LOGIC ELEMENTS FROM THE SUPER CONDUCTING CONDITION TO NORMAL ONE TRANSFERRING METHOD

FIELD: electrical engineering.SUBSTANCE: use to for the functional switchable electronic devices development for various purposes. Summary of invention is in the fact, that the superconductor in the electronic functional nano-sized devices from the superconducting state to the normal state transferring method is implemented by its local heating, for heating, using the fuel element in the form of superconducting nanowire that is not galvanically connected to the subjected to heating and located with the nanoscale gap near the superconductor heated segment with the current passing therethrough, exceeding the superconductor transition to the normal state current magnitude and ensuring the power release sufficient for the controlled nanowire heating and transfer to the normal state, at that, observing the condition that the passed through the superconductor being transferred to the normal state current value, does not exceed the current value of its return from the normal state to the superconducting one, determined by the superconductor voltage-current characteristic, obtained without the external influences on the superconductor.EFFECT: enabling the possibility of the superconducting nanowires based high-density functional nanodevices development.1 cl, 5 dwg Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник. Технический результат - обеспечение возможности создания высокоплотных функциональных наноустройств на основе сверхпроводящих нанопро