METHOD FOR FORMING LOCAL BURIED DIELECTRIC INSULATION REGION OF ACTIVE PART OF TRANSISTORS WITH THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE OF SHELL (FINFET)
FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention relates to the field of solid state electronics, in particular methods for forming the isolation of the active part of field effect transistors with a three-dimensional shutter structure (FinFET). Essence of the invention is a method for forming a buried diele...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention relates to the field of solid state electronics, in particular methods for forming the isolation of the active part of field effect transistors with a three-dimensional shutter structure (FinFET). Essence of the invention is a method for forming a buried dielectric insulation region of the active part of a FinFET from a substrate, that the isolation region is localized in a limited volume of the body of the transistor, allowing the structure to have high mechanical strength.EFFECT: invention provides a suppression of the leakage current of the leakage of the drain and source space charge regions.1 cl, 6 dwg
Изобретение относится к области твердотельной электроники, в частности способам формирования изоляции активной части полевых транзисторов с трехмерной структурой затвора (FinFET). Сущностью изобретения является способ формирования захороненной диэлектрической области изоляции активной части FinFET от подложки, характеризующейся тем, что область изоляции локализована в ограниченном объеме тела транзистора, позволяя конструкции обладать высокой механической прочностью. Изобретение обеспечивает подавление тока утечки смыкания областей пространственного заряда стока и истока. 6 ил. |
---|