MATRIX AUTO EMISSION CATHODE AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF

FIELD: electrical engineering.SUBSTANCE: invention relates to devices of solid-state and vacuum electronics, in particular, to auto-emission elements based on the Si-SiC-graphene system used as cathodes: to diodes, to triodes and to devices based on them. Matrix auto-emission element with cathodes based on the Si-SiC-graphene system includes a single-crystal silicon substrate on the front surface of which a cathode unit is formed in the form of multi-point emission structures having the shape of a cone, at the tip of the emission structure, films of underlying silicon carbide and graphene are formed, a contact layer formed on the reverse surface of the semiconductor substrate consisting of an adhesive layer located on the reverse surface of the semiconductor substrate and a current-carrying layer disposed on the surface of the adhesive layer.EFFECT: increase in the current of the field emission and the time stability of this quantity, a reduction in the operating voltages in vacuum microelectronics devices based on carbonaceous materials and, as a result, the extension of their service life.2 cl, 4 dwg Изобретение относится к приборам твердотельной и вакуумной электроники, в частности к автоэмиссионным элементам на основе системы Si-SiC-графен, используемых в качестве катодов: к диодам, к триодам и к устройствам на их основе. Технический результат - повышение тока автоэмиссии и временной стабильности этой величины, уменьшение рабочих напряжений в приборах вакуумной микроэлектроники на основе углеродосодержащих материалов и, как следствие, продление их срока службы. Матричный автоэмиссионный элемент с катодами на основе системы Si-SiC-графен включает монокристаллическую кремниевую подложку, на лицевой поверхности которой сформирован катодный узел в виде многоострийных эмиссионных структур, имеющих форму конуса, на кончике эмиссионной структуры сформированы пленки нижележащего карбида кремния и графена, контактный слой, сформированный на обратной поверхности полупроводниковой подложки, состоящий из адгезионного слоя, расположенного на обратной поверхности полупроводниковой подложки, и токоведущего слоя, расположенного на поверхности адгезионного слоя. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.