METHOD OF CHANGING PLATE SURFACE CURVATURE RADIUS FOR MINIMIZING MECHANICAL STRESSES

FIELD: technological processes.SUBSTANCE: essence of the present invention is that the curvature of the surface of the plate is changed by depositing the film layer on the plate, using various gas mixtures, deposition is carried out with the subsequent etching of the film layer, the magnitude of the...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Gusev Evgenij Eduardovich, Dyuzhev Nikolaj Alekseevich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: technological processes.SUBSTANCE: essence of the present invention is that the curvature of the surface of the plate is changed by depositing the film layer on the plate, using various gas mixtures, deposition is carried out with the subsequent etching of the film layer, the magnitude of the mechanical stresses across the plate in the local regions is calculated according to Stoney formula, the value of mechanical stresses is compared with the σmechanical stress reference value for the success of the subsequent technological operation, for |σ||σ| precipitate or etch the film repeatedly.EFFECT: it is an object of the present invention to broaden the methods for changing the curvature of a surface by expanding the methods for producing the films used, the types of films used, and the possibility of varying the thickness of the films.1 cl, 3 dwg Задачей настоящего изобретения является расширение способов изменения кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок. Суть настоящего изобретения состоит в том, что изменяют кривизну поверхности пластины посредством осаждения слоя пленки на пластину, причем используют различные газовые смеси, осаждение проводят с последующим травлением слоя пленки, рассчитывают величину механических напряжений по пластине в локальных областях по формуле Стони, сравнивают значение механических напряжений с контрольным значением механических напряжений σдля успешного выполнения последующей технологической операции, при |σ||σ| осаждают или травят пленку повторно. 3 ил.