DEVICE FOR CHEMICAL SEPARATION OF SEMICONDUCTOR PLATES TO CRYSTALS
FIELD: electrical engineering.SUBSTANCE: invention relates to devices for chemical liquid separation of semiconductor wafers onto crystals without the use of mechanical devices and electric power. Device for chemical separation of semiconductor wafers into crystals contains a working container, perf...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: electrical engineering.SUBSTANCE: invention relates to devices for chemical liquid separation of semiconductor wafers onto crystals without the use of mechanical devices and electric power. Device for chemical separation of semiconductor wafers into crystals contains a working container, perforated elements and a removable set of masks, in which the arrangement of the grooves coincides with the arrangement of the regions of separation into crystals, the perforated elements - the base and the lid, the lid is seated on the base, and the diameter of the perforation hole and the distance from the lower plane of the cover to the upper plane of the semiconductor plate or the top plane of the removable masks does not exceed the minimum dimension of the crystal face.EFFECT: invention provides an increase in the yield of suitable crystals, reduces energy consumption, raises the ergonomics of the device, makes it possible to form crystals of various shapes.1 cl, 5 dwg
Изобретение относится к устройствам для химического жидкостного разделения полупроводниковых пластин на кристаллы без использования механических устройств и электроэнергии. Устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы содержит рабочую емкость, перфорированные элементы и съемный набор масок, в котором расположение пазов совпадает с расположением областей разделения на кристаллы, перфорированные элементы - основание и крышка, крышка посажена на основание, а диаметр отверстия перфорации и расстояние от нижней плоскости крышки до верхней плоскости полупроводниковой пластины либо верхней плоскости съемных масок не превышает минимальный размер грани кристалла. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных кристаллов, сокращает потребление энергии, повышает эргономичность устройства, осуществляет возможность формирования кристаллов различной формы. 1 з.п. ф-лы, 5 ил. |
---|