CMP COMPOSITION COMPRISING ABRASIVE PARTICLES CONTAINING CERIUM DIOXIDE

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: group of inventions refers to polymer chemistry and can be used in the semiconductor industry. Composition for chemical-mechanical polishing contains (A) abrasive particles of cerium dioxide; (B) one or more polymers. Each macromolecule of polymers contains (i) one or more anionic functional groups and (ii) one or more structural units (AO)-R. A represents CH, x=2-4; a=5-200. R is hydrogen or a branched or linear alkyl group having from 1 to 4 carbon atoms. In the polymer, the sum of the molar masses of all structural units (ii) is at least 50 % of the molar mass of said polymer (B). To obtain a semiconductor device, a chemical-mechanical polishing of the substrate is carried out in the presence of a composition for chemical-mechanical polishing. Polymer (B) is used to suppress the agglomeration of particles containing cerium dioxide and / or to establish the zeta potential of particles containing cerium dioxide.EFFECT: improved polishing efficiency, high silica removal rate and controlled selectivity are provided.18 cl, 1 dwg, 13 tbl Группа изобретений относится к полимерной химии и может быть использована в полупроводниковой промышленности. Композиция для химико-механической полировки содержит (А) абразивные частицы диоксида церия; (В) один или более полимеров. Каждая макромолекула полимеров содержит (i) одну или более анионных функциональных групп и (ii) одну или более структурных единиц -(AO)-R. А представляет собой CH, x = 2-4; а = 5-200. R представляет собой водород или разветвленную или линейную алкильную группу, имеющую от 1 до 4 атомов углерода. В полимере сумма молярных масс всех структурных единиц (ii) составляет по меньшей мере 50% от молярной массы указанного полимера (В). Для получения полупроводникового устройства осуществляют химико-механическую полировку подложки в присутствии композиции для химико-механической полировки. Полимер (В) применяют для подавления агломерации частиц, содержащих диоксид церия, и/или для установления дзета-потенциала частиц, содержащих диоксид церия. Обеспечиваются повышение эффективности полировки, высокая скорость удаления диоксида кремния и регулируемая селективность. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 1 ил., 13 табл.