CONSTRUCTION OF MICROSYSTEM WITH HIGH RADIATION RESISTANCE TO THE SINGLE CHARGED PARTICLES IMPACT

FIELD: electrical equipment.SUBSTANCE: use: to create the microelectromechanical devices (MEMD) with increased radiation resistance. Summary of invention is in the fact, that in the structure of the microsystem with increased radiation resistance to the single charged particles action having mechani...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Shakhnov Vadim Anatolevich, Zinchenko Lyudmila Anatolevna, Glushko Andrej Aleksandrovich, Terekhov Vladimir Vladimirovich, Rezchikova Elena Vikentevna, Mikhajlichenko Sergej Sergeevich, Makarchuk Vladimir Vasilevich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: electrical equipment.SUBSTANCE: use: to create the microelectromechanical devices (MEMD) with increased radiation resistance. Summary of invention is in the fact, that in the structure of the microsystem with increased radiation resistance to the single charged particles action having mechanical part and electrical part with the fractal shape, electrical part micro capacitors plates have the Cantor set three-dimensional fractal shape.EFFECT: enabling the possibility of the MEMD radiation damage probability reducing, excluding the microsystems failure, as well as the false data reading from them during exposure to the heavy charged particles ionizing radiation.1 cl, 4 dwg Использование: для создания микроэлектромеханических устройств (МЭМС) с повышенной радиационной стойкостью. Сущность изобретения заключается в том, что в конструкции микросистемы с повышенной радиационной стойкостью к воздействию одиночных заряженных частиц, имеющей механическую часть и электрическую часть с фрактальной формой, обкладки микроконденсаторов электрической части имеют трехмерную фрактальную форму Канторова множества. Технический результат: обеспечение возможности снижения вероятности радиационных повреждений МЭМС, исключения выхода микросистем из строя, а также считывания с них ложных данных при воздействии ионизирующего излучения тяжелых заряженных частиц. 4 ил.