CASE OF POWERFUL HYBRID ULTRA-HIGH FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT
FIELD: electronic equipment.SUBSTANCE: invention relates to electronic engineering and can be used in the manufacture of high-power hybrid ultra-high frequency integrated circuits of increased reliability, sealed by shovel-roller or laser welding. In the case of a powerful hybrid ultra-high frequenc...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: electronic equipment.SUBSTANCE: invention relates to electronic engineering and can be used in the manufacture of high-power hybrid ultra-high frequency integrated circuits of increased reliability, sealed by shovel-roller or laser welding. In the case of a powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit, the frame is made of annealed nickel, and the heat sink base is made of molybdenum-copper pseudoalloy with a ledge intended for mounting passive and active hybrid IC elements and having dimensions corresponding to the internal dimensions of the frame, the difference in the dimensions of the protrusion and the corresponding internal dimensions of the frame does not exceed the optimal thickness of the solder.EFFECT: technical result of the invention is to ensure the hermetic sealing of the body by shearing-roller welding, increase in the temperature of installation of active and passive components of the integrated circuit with solders up to 450 °C and a decrease in the non-flatness of the supporting surface of the heat sink base of the shell.1 cl, 5 dwg, 9 tbl
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом изобретения является обеспечение герметизации корпуса шовно-роликовой сваркой, повышение температуры монтажа активных и пассивных компонентов интегральной схемы припоями до 450°С и снижение неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания корпуса. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в корпусе мощной гибридной СВЧ интегральной схемы рамка выполнена из отожженного никеля, а теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден - медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов ГИС и имеющим размеры, соответствующие внутренним размерам рамки, причем разница в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки не превышает оптимальной толщины припоя. 5 ил., 9 табл. |
---|