NANODIMENSIONAL STRUCTURE WITH ALLOYING PROFILE IN FORM OF NANOWIRES FROM TIN ATOMS

FIELD: metallurgy.SUBSTANCE: nanodimensional structure with nanowires from tin atoms, embedded in a GaAs crystal, includes a single-crystal semi-insulating vicinal GaAs (100) substrate with misorientation angle of 0.3°÷0.4° in the direction of type , a buffer undoped GaAs layer, a delta-alloyed tin layer, and a contact silicon-alloyed GaAs layer; an InGaAs channel layer, an AlGaAs spacer layer, and an AlGaAs barrier layer are additionally added, and two-dimensional electron gas located in InGaAs channel layer is modulated in form of quasi-one-dimensional channels.EFFECT: ensuring the possibility of increasing the speed of microwave devices based on this structure.1 cl Использование: для создания РНЕМТ транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что наноразмерная структура с нанонитями из атомов олова, встроенными в кристалл GaAs включает монокристаллическую полуизолирующую вицинальную подложку GaAs (100) с углом разориентации 0.3°÷0.4° в направлении типа , буферный нелегированный слой GaAs, дельта-легированный оловом слой и контактный легированный кремнием слой GaAs, дополнительно добавлен канальный слой InGaAs, спейсерный слой AlGaAs и барьерный слой AlGaAs, а двухмерный электронный газ, находящийся в канальном слое InGaAs, модулирован в виде квазиодномерных каналов. Технический результат: обеспечение возможности увеличения быстродействия СВЧ приборов на основе такой структуры.