METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM CHIP OF RESISTANT HIGH-FREQUENCY ATTENUATOR

FIELD: electricity.SUBSTANCE: method of manufacture includes forming on the front side of the substrate resistive layer by spraying with subsequent photolithography, fitting the resistance of resistors to the specified denomination, forming a protective layer, spraying metallization on the back side of the substrate, separating the substrate on strips, forming a face contacts after thin-film technology, applying solder, separating the chips, formation of face contacts after thin-film technology is performed by spraying contact material (e.g. vanadium-copper-nickel) on the back side of the chip and chip end, back side of chip at the junction with the face of chip is positioned to stream of sprayed material at an angle less than 90° (optimum angle 60-75°). Then spraying the contact material on the front side of the chip and chip face, front side of chip at the junction with the chip face is positioned to stream of sprayed material at an angle less than 90°, after which solder is deposited on bond pads.EFFECT: reduce the time of deposition of films and the laboriousness of the process.4 cl, 3 dwg Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных чип резистивных высокочастотных (ВЧ) аттенюаторов. Техническим результатом является снижение времени напыления пленок и трудоемкости процесса. Cпособ изготовления включает формирование на лицевой стороне подложки резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, подгонку сопротивления резисторов в заданный номинал, формирование защитного слоя, напыление металлизации на тыльную сторону подложки, разделение подложки на полосы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии, нанесение припоя, разделение полос на чипы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии проводится путем напыления контактного материала (например ванадий-медь-никель) на тыльную сторону чипа и торец чипа, тыльная сторона чипа в месте соединения с торцом чипа располагается к потоку напыляемого материала под углом меньшим 90° (оптимальный угол 60-75°). После чего производится напыление контактного материала на лицевую сторону чипа и торец чипа, лицевая сторона чипа в месте соединения с торцом чипа располагается к потоку напыляемого материала под углом меньшим 90°, после чего на контактные площадки осаждается припой. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.