METHOD OF VACUUM CLEANING TELLURIUM FROM CARBON-CONTAINING NANOSCALE HETERO-INCLUSIONS

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: original tellurium is heated to a temperature of 600-680°C to obtain a gaseous phase of tellurium. Carbon-containing hetero-inclusions of the gaseous phase of tellurium are interacted with a high-frequency plasma discharge in the conditions of a nonequilibrium plasma, with plasma gas roaming at a speed of 15 ml/min, which is used as the hydrogen or mixture of hydrogen with an inert gas. The tellurium ratio: transport gas in the gas-vapour mixture is 1:50. The volatile hydrides of the carbon-containing heterologous exclusions are removed. High-purity tellurium is deposited on the inner surface of the receiver heated by an external heating element of the receiver to a temperature of 430-480°C. The operating pressure is maintained at 1.9 Torr.EFFECT: method reduces the amount of carbon-containing impurities as the yield of pure tellurium increases.1 dwg Изобретение относится к плазмохимии. Может быть использовано при производстве полупроводниковых и оптических элементов для микроэлектроники, оптики и нанофотоники. Исходный теллур нагревают до температуры 600-680°С с получением газообразной фазы теллура. Взаимодействуют с помощью высокочастотного плазменного разряда в условиях неравновесной плазмы углеродсодержащие гетеровключения газообразной фазы теллура с перемещаемым со скоростью 15 мл/мин плазмообразующим газом, в качестве которого используют водород или смесь водорода с инертным газом. Соотношение теллур:транспортный газ в парогазовой смеси составляет 1:50. Летучие гидриды углеродсодержащих гетеровключений удаляют. Высокочистый теллур осаждают на внутренней поверхности ресивера, нагреваемого внешним нагревательным элементом ресивера до температуры 430-480°С. Рабочее давление поддерживают равным 1,9 тор. Способ уменьшает количество углеродсодержащих примесей при повышении выхода чистого теллура. 1 ил.