METHOD FOR PRODUCTION OF BISMUTH SILICATE BiSiOCRYSTALLINE COMPOUND POWDER
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: BiSiOsynthesis is carried out by dissolving pentahydrate bismuth nitrate in acetone at a room temperature, adding an organosilicon liquid in the form of a water-alcohol solution of sodium methylsiliconate, stirring for no more than 5 minutes, followed by suspension centri...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: chemistry.SUBSTANCE: BiSiOsynthesis is carried out by dissolving pentahydrate bismuth nitrate in acetone at a room temperature, adding an organosilicon liquid in the form of a water-alcohol solution of sodium methylsiliconate, stirring for no more than 5 minutes, followed by suspension centrifugation, precipitate washing with distilled water until no traces of Na ionsand precipitate heat treatment at a temperature of not less than 300°C.EFFECT: increased manufacturability due to reduction of time and temperature of synthesis, provision of powder surface hydrophobicity, increased symmetry of a crystal.1 tbl, 1 ex
Изобретение относится к области получения порошка кристаллического соединения BiSiOи может быть использовано в радиоэлектронике для создания электро- и магнито-оптических модуляторов лазерного излучения. Синтез BiSiOосуществляют растворением пятиводного нитрата висмута в ацетоне при комнатной температуре, добавлением кремнийорганической жидкости в виде водно-спиртового раствора метилсиликоната натрия, перемешиванием в течение не более 5 мин с последующим центрифугированием суспензии, отмывкой осадка дистиллированной водой до отсутствия следов ионов Naи термообработкой осадка при температуре не менее 300°С. Изобретение обеспечивает повышение технологичности за счет снижения времени и температуры синтеза BiSiO, придание поверхности порошка гидрофобности (способности не смачиваться водой), а также повышение симметрии кристалла BiSiO. 1 табл., 1 пр. |
---|