METHOD FOR PRODUCING DISSIPATIVE STRUCTURES

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: method for producing a dissipative structure in amorphous film in the form of nanothin crystals with elastic rotational bending of the lattice involves the heating and subsequent cooling, where a layer of amorphous carbon with a thickness of not more than 25 nm is pre-applied on the substrate of mica by vacuum deposition, using the carbon rod as carbon source, then - a layer of amorphous selenium of a thickness not exceeding 80 nm, using powdered selenium as the source of selenium, then - again a layer of amorphous carbon with a thickness of not more than 25 nm, and thermogradient treatment is carried out by heating the lower surface of the substrate in the temperature range of 373-463 K for 30-180 s, and then cooling is carried out by quenching in air.EFFECT: ensuring the possibility of producing a dissipative structure in amorphous film as nanothin crystals with elastic rotary curvature of the lattice that contains smaller crystals, which do not exceed a maximum size of 10 mcm.3 tbl, 7 dwg Использование: для получения диссипативных структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения диссипативной структуры в аморфной пленке в виде нанотонких кристаллов с упругим ротационным искривлением решетки включает нагревание и последующее охлаждение, где предварительно на подложку из слюды путем вакуумного напыления наносят слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм с использованием в качестве источника углерода углеродного стержня, затем - слой аморфного селена толщиной не более 80 нм с использованием в качестве источника селена порошкообразного селена, затем - снова слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм, и осуществляют термоградиентную обработку путем нагрева нижней поверхности подложки в интервале температур 373-463 K в течение 30-180 с, а затем осуществляют охлаждение путем закалки на воздухе. Технический результат: обеспечение возможности получения диссипативной структуры в аморфной пленке в виде нанотонких кристаллов с упругим ротационным искривлением решетки, содержащей кристаллы уменьшенного размера, максимальный размер которых не превышает 10 мкм. 3 табл., 7 ил.