METHOD OF PRODUCING SOLAR CELL

FIELD: physics.SUBSTANCE: method includes: a step of applying a paste-like electrode substance to an antireflection film formed on the side of the light-receiving surface of the semiconductor substrate having, at least, a pn-junction, wherein the said electrode substance comprises a conductive mater...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: VATABE Takenori, OTSUKA Khiroyuki, MURAKAMI Takasi
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics.SUBSTANCE: method includes: a step of applying a paste-like electrode substance to an antireflection film formed on the side of the light-receiving surface of the semiconductor substrate having, at least, a pn-junction, wherein the said electrode substance comprises a conductive material; and a step of calcinating the electrode including a local heat treatment for supplying heat such that, at least, a portion of the conductive material is calcinated by irradiating only the portion of the electrode material with a laser beam, and a heat treatment of the entire object to heat the semiconductor substrate to a temperature below 800°C.EFFECT: long-term reliability and high efficiency.5 cl, 1 tbl, 5 dwg Настоящее изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, имеющего долговременную надежность и высокую эффективность, причем упомянутый способ включает в себя: этап нанесения пастообразного электродного вещества на просветляющую пленку, сформированную на стороне светопринимающей поверхности полупроводниковой подложки, имеющей по меньшей мере pn-переход, причем упомянутое электродное вещество содержит проводящий материал; и этап обжига электрода, включающий в себя локальную термообработку для подачи тепла так, что обжигают по меньшей мере часть проводящего материала посредством облучения лазерным лучом только участка с нанесенным электродным веществом, и термообработку всего объекта для нагревания полупроводниковой подложки целиком до температуры ниже 800°C. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.