FILM SYSTEM FOR FORMING MAGNETIC FIELD
FIELD: physics.SUBSTANCE: film system for forming the magnetic field includes a substrate, a dielectric layer, a magnetosensitive element, film magnetic field concentrators arranged on both sides of the element sensitive to the magnetic field, a film magnetic shield, where the film concentrators con...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: film system for forming the magnetic field includes a substrate, a dielectric layer, a magnetosensitive element, film magnetic field concentrators arranged on both sides of the element sensitive to the magnetic field, a film magnetic shield, where the film concentrators consist of 2 or 10 areas separated by the non-magnetic gap, and above the element sensitive to the magnetic field, between the concentrators parallel to the plane of the substrate, there is a film magnetic shield over the sensitive area of the magnetosensitive element.EFFECT: providing the possibility of creating magnetic field sensors with a linear conversion of magnetic induction into an electrical signal over a wide range of magnetic field changes.4 dwg
Использование: для создания полупроводниковых приборов, обладающих чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения заключается в том, что пленочная система формирования магнитного поля содержит подложку, диэлектрический слой, магниточувствительный элемент, пленочные концентраторы магнитного поля, расположенные с двух сторон от элемента, чувствительного к магнитному полю, пленочный магнитный экран, где пленочные концентраторы состоят из 2 или 10 областей, разделенных немагнитным зазором, а над элементом, чувствительным к магнитному полю, между концентраторами параллельно плоскости подложки расположен пленочный магнитный экран над чувствительной областью магниточувствительного элемента. Технический результат - обеспечение возможности создания датчиков магнитного поля с линейным преобразованием магнитной индукции в электрический сигнал в широком диапазоне изменения магнитного поля. 4 ил. |
---|