METHOD FOR APPLYING THIN LAYER OF AMORPHOUS SILICON

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: method for applying a thin layer of amorphous silicon onto a substrate includes providing contact of the substrate surface with a photosensitive substance containing silicon and directing ultraviolet radiation to the contact surface of the substrate with a silicon-containing photosensitive substance, which ensures execution of photochemical reaction with formation of an amorphous silicon layer. Silicon halide is used as a photosensitive substance containing silicon, ultraviolet radiation with a wavelength of 100-350 nm and a power density of 1-15 mW/cmis directed to the contact surface with the substrate and provided for 0.6-15 minutes at a temperature of 1-140°C and normal pressure to obtain an amorphous silicon layer with thicnkess of 50-400 nm. In a particular embodiment of the invention, sapphire is used as the substrate material.EFFECT: simplifying the technology, reducing production costs, enhancing safety in the implementation of the technological process of applying a thin layer of amorphous silicon on the substrate.2 cl, 1 ex Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния и может быть использовано в современной микроэлектронике, оптоэлектронике и интегральной оптике для создания интегральных схем, тонкопленочных солнечных элементов и транзисторных матриц большой площади для жидкокристаллических дисплеев. Способ нанесения тонкого слоя аморфного кремния на подложку включает обеспечение контакта поверхности подложки со светочувствительным веществом, содержащим кремний, и направление на поверхность контакта поверхности подложки с содержащим кремний светочувствительным веществом ультрафиолетового излучения, обеспечивающего протекание фотохимической реакции с образованием слоя аморфного кремния. В качестве светочувствительного вещества, содержащего кремний, используют галогенид кремния, на поверхность контакта с подложкой которого направляют ультрафиолетовое излучение с длиной волны 100-350 нм и плотностью мощности 1-15 мВт/сми обеспечивают в течение 0,6-15 мин при температуре 1-140°С и нормальном давлении получение слоя аморфного кремния толщиной 50-400 нм. В частном случае осуществления изобретения в качестве материала подложки используют сапфир. Обеспечивается упрощение технологии, снижение затрат на производство, а также усиление безопасности при реализации технологического процесса нанесения тонкого слоя аморфного кремния на подложку. 1 з.п. ф-лы, 1 пр.