METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM AlOON SURFACE OF POROUS SILICON

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: film AlOis applied by ion-plasma sputtering to the layer of porous silicon with a pore size of less than 3 nm produced by electrochemical etching of the initial single crystal silicon plate at the operating chamber pressure in the range of 3-5⋅10mm Hg and the target potential of 400-600 V.EFFECT: providing an opportunity to create an efficient method for manufacturing a nano-profiled ultra-thin aluminium dioxide film on the surface of porous silicon.2 cl, 2 dwg Использование: для роста наноразмерных пленок диэлектриков на поверхности монокристаллических полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что пленку AlOнаносят ионно-плазменным распылением на слой пористого кремния с размером пор менее 3 нм, полученного электрохимическим травлением исходной пластины монокристаллического кремния, при рабочем давлении в камере в диапазоне 3-5⋅10мм рт.ст. и потенциале мишени - 400-600 В. Технический результат: обеспечение возможности создания эффективного способа изготовления нанопрофилированной ультратонкой пленки диоксида алюминия на поверхности пористого кремния. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.