HETEROSTRUCTURE PHOTOELECTRIC CONVERTER BASED ON CRYSTALLINE SILICON

FIELD: physics.SUBSTANCE: solar module based on crystalline silicon includes a plate of polycrystalline or monocrystalline silicon; a passivation layer in the form of amorphous hydrogenated silicon deposited on each side of the silicon plate; p-layer in the form of amorphous hydrogenated silicon deposited on the upper side of the passivation layer; N-layer applied to the underside of the passivation layer; current-collecting layers deposited on the p-layer and the n-layer. N-type metal oxides obtained by magnetron sputtering or atomic layering, or by gas-phase deposition under reduced pressure, are used as n-layer. Zinc oxide (ZnO) or SnO, FeO, TiO, VO, MnO, CdO and other n-type metal oxides are used as n-type metal oxide.EFFECT: invention allows to increase the productivity of the photoconverter manufacturing process.2 cl, 1 dwg Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению активных слоев солнечных модулей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния. Солнечный модуль на основе кристаллического кремния включает пластину поликристаллического или монокристаллического кремния; пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния; р-слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на верхнюю сторону пассивирующего слоя; n-слой, нанесенный на нижнюю сторону пассивирующего слоя; токосъемные слои, нанесенные на р-слой и n-слой. В качестве n-слоя применяют металлические оксиды n-типа, полученного методом магнетронного распыления или методом атомного наслаивания, или методом газофазного осаждения при пониженном давлении. В качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO) или SnО, FеО, TiΟ, VO, МnO, CdO и другие металлические оксиды n-типа. Изобретение позволяет повысить производительность процесса производства фотопреобразователей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.