SUPERCAPACITOR BASED ON CMOS TECHNOLOGY

FIELD: electricity.SUBSTANCE: supercapacitor contains two electrodes, a dielectric layer arranged between them, conformally disposed on the lower electrode, wherein the upper electrode is conformally disposed on the dielectric layer, the lower electrode is formed on a profile-structured base of poro...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Zolotarev Vitalij Iosifovich, Kireev Valerij Yurevich, Gusev Evgenij Eduardovich, Belov Aleksej Nikolaevich, Dyuzhev Nikolaj Alekseevich
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CAPACITORS CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	FIELD: electricity.SUBSTANCE: supercapacitor contains two electrodes, a dielectric layer arranged between them, conformally disposed on the lower electrode, wherein the upper electrode is conformally disposed on the dielectric layer, the lower electrode is formed on a profile-structured base of porous alumina or titanium.EFFECT: increasing the energy density of the supercapacitor, increasing the formation reproducibility of the structure with adjustable values of capacitance and stored energy density.3 cl, 5 dwg Изобретение относится к твердотельному суперконденсатору и может быть использовано в устройствах хранения энергии разнообразных интегральных микросхем. Суперконденсатор содержит два электрода, размещенный между ними диэлектрический слой, конформно расположенный на нижнем электроде, при этом верхний электрод конформно расположен на диэлектрическом слое, нижний электрод сформирован на профильно-структурированном основании из пористого оксида алюминия или титана. Увеличение плотности энергии суперконденсатора, повышение воспроизводимости формирования структуры с регулируемыми значениями емкости и плотности запасенной энергии является техническим результатом изобретения. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.