SENSITIVITY INCREASING METHOD OF MAGNETIC-CONTROLLED SWITCHES
FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention relates to the field of electric current commutators controlled by external magnetic field: magnetically controlled contacts (reed switches), microelectromechanical (MEMS) commutators and switches. The method is carried out by using a magnetic concentrator in...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention relates to the field of electric current commutators controlled by external magnetic field: magnetically controlled contacts (reed switches), microelectromechanical (MEMS) commutators and switches. The method is carried out by using a magnetic concentrator in form of isosceles trapezium, the upper (narrow) base of which is directed toward the contact overlap region. The angle between the lower base and the side of the trapezoid is 30-60°, and the ratio of the lengths of the upper and lower bases is in the range of 1:2-1:20.EFFECT: increased sensitivity of magnetic-controlled switches without changing the parameters of their vibration resistance and resistance to impact caused by false closures under the influence of inertia forces.1 dwg
Изобретение относится к области коммутаторов электрического тока, управляемых внешним магнитным полем: магнитоуправлемых контактов (герконов), микроэлектромеханических (МЭМС) коммутаторов и переключателей, и может быть использовано для улучшения эксплуатационных и потребительских свойств данных устройств, в частности увеличения чувствительности к магнитному полю. Техническим результатом является повышение чувствительности магнитоуправляемых коммутаторов без изменения параметров их вибрационной стойкости и стойкости к ударному воздействию, обусловленных возникновением ложных замыканий под действием сил инерции, который достигается путем использования магнитного концентратора в форме равнобедренной трапеции, верхнее (узкое) основание которой направлено к области контактного перекрытия. При этом угол между нижним основанием и стороной трапеции составляет 30-60°, а отношение длин верхнего и нижнего основания находится в пределах 1:2-1: 20. 1 ил. |
---|