SOLID STATE POWER TRANSISTOR PRODUCTION TECHNIQUE

FIELD: electricity.SUBSTANCE: front surface of the solid state power transistor is settled out by the silicium nitride from a gaseous phase 0.1-0.2 microns thick in the solid state power transistor manufacturing process. The polycrystalline silicon in the grooves is acidulated after the impurity doping process under a pressure of not less than 1 MPa and at a temperature of not above 850°C over a period of 5-20 min and after that the silicium nitride is removed by etching in orthophosphoric acid or by selective plasma-chemical etching.EFFECT: manufacturing route standardisation by using self-alignment and cross-alignment methods in photolithography processes, which leads to the equipment accuracy reduction and the staff competence in critical activities requirements, resulting in reduced labour costs for the products manufacture and in a higher yield value.8 dwg Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности к технологии изготовления силовых полевых транзисторов с вертикально расположенным затвором. Техническим результатом изобретения является унификация маршрута изготовления путем использования методов самосовмещения и перекрестного совмещения в процессах фотолитографии, что приводит к уменьшению требований по точности оборудования и квалификации персонала на критических операциях, в результате чего уменьшаются трудозатраты на изготовление изделий и повышается процент выхода годных. В процессе изготовления силового полупроводникового транзистора после формирования базы транзистора на всю лицевую поверхность осаждают из газовой фазы нитрид кремния толщиной 0,1 - 0,2 мкм, поликремний в канавках после легирования окисляют при давлении не менее 1 МПа и температуре не выше 850°С в течение 5-20 минут, после чего нитрид кремния удаляют травлением в ортофосфорной кислоте или селективным плазмохимическим травлением. 8 ил.