METHOD FOR QUANTITATIVE THREE-DIMENSIONAL RECONSTRUCTION OF SILICON MICRO- AND NANOSTRUCTURES SURFACE

FIELD: physics, measurement equipment.SUBSTANCE: invention refers to the field of scanning electron microscopy. The invention uses the principle of photogrammetric processing of images obtained by means of a scanning electron microscope at various angles of inclination of the investigated object. The essence of invention: the studied silicon structure is exposed to pre-plasma treatment using a high-frequency discharge of low pressure, the discharge power and treatment duration are established to be sufficient for morphological features of nanometer scale occurence on the object surface and their imaging in the scanning electron microscope.EFFECT: invention improves the accuracy of three-dimensional reconstruction results.1 dwg Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого объекта. Сущность изобретения: исследуемая кремниевая структура предварительно подвергается плазменной обработке при помощи высокочастотного разряда пониженного давления, причем мощность разряда и продолжительность обработки устанавливаются достаточными для возникновения и визуализации в растровом электронном микроскопе морфологических особенностей нанометрового масштаба на поверхности исследуемого объекта. Технический результат - повышение точности результатов трехмерной реконструкции. 1 ил.