METHOD OF MANUFACTURING THE LIMITER MODULE AT THE COUNTER-SWITCHED P-I-N STRUCTURES

FIELD: physics.SUBSTANCE: method of manufacturing the restrictive module on the counter-connected pin structures includes uniform thinning of the central part of the semiconductor wafer, doping both sides of the plate over the entire surface with an acceptor or donor impurity, creating local depressions exceeding the depth of the dopant, then both sides of the plate, except the cavities, are covered with a masking layer of a dielectric, and a two-sided alloying of the plate by a donor (acceptor) impurity is carried out.EFFECT: increasing the outlet of suitable devices in percentage.12 dwg Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при создании твердотельных ограничительных модулей для применения в гибридно-интегральных защитных и стабилизирующих СВЧ-устройствах пассивного типа. Способ изготовления ограничительного модуля на встречно-включенных p-i-n структурах включает равномерное утонение центральной части полупроводниковой пластины, легирование обеих сторон пластины по всей поверхности акцепторной или донорной примесью, создание локальных углублений, превышающих глубину залегания легирующей примеси, после чего обе стороны пластины, кроме углублений, закрывают маскирующим слоем диэлектрика и проводят двухстороннее легирование пластины донорной (акцепторной) примесью. Технический результат заключается в повышении процента выхода годных приборов. 12 ил.