METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC

FIELD: physics.SUBSTANCE: method includes cell growth 1 of crucible 6 with SiC source 12 and docked on the lid 7 of the crucible 6 of seeding plate SiC 11 establishment of cell growth 1 through heat by heater 4, taking into account the insulating ability of thermal screen 3 necessary axial temperature distribution, secured high temperature gradients in the upper and lower zones of growth chambers and low temperature gradients in the zone of maximum heating located between the upper and lower zones, in which the growth chamber at a temperature that ensures that sublimation is a working volume of the crucible, with sublimation of spend in the crucible 6, lid 7 which is docked with the persistence of crucible on a ledge, on the inner surface of the side walls of the crucible, the height H of which exceeds the longitudinal dimension h of the working volume of the crucible and the part of the side walls above the lid 7 of the crucible 6 is located in the upper region of the growth chamber such that the end face 10 of the side wall of the crucible is placed at a temperature of 1000 to 1500°C.EFFECT: enables to increase the output of high-quality monocrystalline ingots of SiC and reduce costs.6 cl, 1 dwg, 1 tbl Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает размещение в камере роста 1 тигля 6 с источником SiC 12 и закрепленной на крышке 7 тигля 6 затравочной пластиной SiC 11, создание в камере роста 1, путем ее нагрева нагревателем 4, с учетом теплоизолирующей способности теплового экрана 3, необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного высокими градиентами температуры в верхней и нижней зонах камеры роста и низкими градиентами температуры в зоне максимального нагрева, находящейся между верхней и нижней зонами камеры роста, в которой при температуре, обеспечивающей сублимацию, расположен рабочий объем тигля, при этом сублимацию проводят в тигле 6, крышка 7 которого закреплена с сохранением рабочего объема тигля на уступе, выполненном на внутренней поверхности боковых стенок тигля, высота Н которых превышает продольный размер h рабочего объема тигля, а часть боковых стенок, находящихся над крышкой 7 тигля 6, расположена в верхней зоне камеры роста таким образом, что торец 10 боковой стенки тигля размещен при температуре от 1000 до 1500°С. Способ позволяет увеличить выход качественных монокри