JOSEPHSON PHASE BLAST VALVE (VERSIONS)

FIELD: electricity.SUBSTANCE: josephson phase blast valve comprises two superconducting electrodes with current leads, located on the substrate under each other, and the weak connection area between them in the form of a thin-film layered structure comprising: the intermediate layer of a superconducting material with current leads, the thickness of which ranges from 20 to 60 nm, separated from the lower superconducting electrode by an insulator layer; the normal metal layer applied to the part of the thin intermediate layer of a superconducting material, whose thickness ranges from 1 to 20 nm; the magnetic material layer applied to the surface of the thin intermediate layer of a superconducting material, remaining not covered by the normal metal layer, the thickness of which ranges from 1 to 20 nm.EFFECT: providing the possibility of switching between the stable states of the valve without changing the magnetization in the magnetic material layer, that provides a sufficiently short time for the implementation of the write operation.20 cl, 3 dwg Использование: для создания элементов быстрой криогенной памяти. Сущность изобретения заключается в том, что джозефсоновский фазовый доменный вентиль включает два расположенных на подложке друг под другом сверхпроводящих электрода с токоподводами и область слабой связи между ними в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей: промежуточный слой сверхпроводящего материала с токоподводами, толщина которого лежит в диапазоне от 20 до 60 нм, отделенный от нижнего сверхпроводящего электрода слоем изолятора; нанесенный на часть тонкого промежуточного слоя сверхпроводящего материала слой нормального металла, толщина которого лежит в диапазоне от 1 до 20 нм; слой магнитного материала, нанесенный на оставшуюся не закрытой слоем нормального металла поверхность тонкого промежуточного слоя сверхпроводящего материала, толщина которого лежит в диапазоне от 1 до 20 нм. Технический результат: обеспечение возможности переключения между устойчивыми состояниями вентиля без изменения намагниченности в слое магнитного материала, что обеспечивает достаточно малое время на реализацию операции записи. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 3 ил.