MEASURING PROBE DEVICE AND METHOD FOR MEASURING ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR WAFERS

FIELD: measuring equipment.SUBSTANCE: device comprises two electrolytic probes, in which each body is represented in the form of a hollow transparent tube of the dielectric material, at one end of which a monolith tip of dielectric capillary or porous material is fixed in the form of a cone with an elongated cylindrical base , and at the other end a rubber plug is fixed. The device electrodes are rings of inert metal and are located on the outer surface of the conical tips. The material of the conical tips is impregnated with electrolyte, the probes are mounted on the measured plate by the conical tips along the normal to the front surface, DC voltage of different polarity is applied to the electrodes, DC voltage is gradually increased, and short periodic sinusoidal voltage pulses with an amplitude, greater than the DC voltage value, are simultaneously supplied to the measuring electrodes of the electrolytic probes. Current-voltage semiconductor characteristic is recorded by the output device of the radio devices.EFFECT: increasing the measurement accuracy and expanding the application area.4 cl, 3 dwg, 1 ex Изобретение может быть использовано для измерения электрофизических параметров полупроводниковых монокристаллических пластин, автоэпитаксиальных и гетероэпитаксиальных структур, а также структур типа полупроводника на изоляторе. Устройство содержит два электролитических зонда, у которых каждый корпус представлен в виде полой прозрачной трубки из диэлектрического материала, с одного конца которой закреплен монолитный наконечник из диэлектрического капиллярного или пористого материала в форме конуса с удлиненным цилиндрическим основанием, а с другого конца закреплена пробка из резины. Электроды устройства выполнены в виде колец из инертного металла и расположены на внешней поверхности конусных наконечников. Материал конусных наконечников пропитывают электролитом, зонды устанавливают на измеряемую пластину конусными наконечниками по нормали к лицевой поверхности, прикладывают к электродам постоянное напряжение разной полярности, постепенно увеличивают величину постоянного напряжения и одновременно подают на измерительные электроды электролитических зондов короткие периодические синусоидальные импульсы напряжения с амплитудой, большей, чем величина постоянного напряжения. Регистрируют вольт-амперную характеристику полупроводника с помощью устройств вывода радиоизмерительного прибора. Изобретение обеспечивает возможность увеличения точности производимых изм