METHOD OF PRODUCING THIN LAYERS OF BISMUTH SILICATE

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: method is carried out by plasma-electrolytic oxidation of the titanium surface in a silicate electrolyte containingNaSiO, in a unipolar galvanostatic regime with an effective current density of 0.20-0.25 A/cmfor 10-15 minutes with subsequent impregnation of the formed layer with a solution of basic nitric bismuth in a rosin melt diluted with turpentine and pyrolysis at a temperature of 650-700°C.EFFECT: shortening the time for the implementation of the method, simplifying the method and its hardware design.2 cl, 2 tbl, 2 ex, 3 dwg Изобретение относится к технологии изготовления тонких слоев силиката висмута, которые обладают высокой диэлектрической постоянной и могут найти применение для создания диэлектрических слоев на токопроводящих поверхностях, используемых в качестве фоторефрактивного материала в устройствах записи и обработки информации, в тонкопленочных конденсаторах. Способ осуществляют путем плазменно-электролитического оксидирования поверхности титана в силикатном электролите, содержащем NaSiO, в униполярном гальваностатическом режиме при эффективной плотности тока 0,20-0,25 А/смв течение 10-15 мин с последующей пропиткой сформированного слоя раствором основного азотнокислого висмута в расплаве канифоли, разбавленным скипидаром, и пиролизом при температуре 650-700°C. Технический результат - сокращение времени осуществления способа, упрощение способа и его аппаратурного оформления. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 пр., 3 ил.