SOLUTION FOR HYDROCHEMICAL PRECIPITATION OF SEMICONDUCTOR FILMS OF INDIUM SELENIDE
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the technology of obtaining indium selenide (III), widely used in microelectronics for producing nuclear radiation detectors and creating solar radiation inverters as the basis for such material as copper diselenide (I) and indium CuInSe. The solution...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the technology of obtaining indium selenide (III), widely used in microelectronics for producing nuclear radiation detectors and creating solar radiation inverters as the basis for such material as copper diselenide (I) and indium CuInSe. The solution for hydrochemical precipitation of a thin semiconductor film of indium selenide (III) contains an indium (III) salt, selenocarbamide, tartaric acid and sodium sulfite at the following concentrations of reagents, mol/l: indium (III) salt 0.01-0.15; selenocarbamide 0.005-0.1; tartaric acid 0.01-0.06; sodium sulfite 0.005-0.1. Due to the presence of such additives as selenocarbamide and sodium sulfite, the process kinetics and the precipitation conditions are modified in comparison with the prototype. Selenocarbamide is a source of selenide ions. Sodium sulfite acts as an antioxidant, preventing the selenocarbamide oxidation in the solution. Tartaric acid simultaneously complexes indium ions and increases the buffering capacity of the reaction mixture, maintaining the pH of the solution at a certain level.EFFECT: layers obtained from said precipitation solution have good adhesion to substrate material and a mirror surface, their thickness is equal to 300 nm.1 tbl, 2 ex
Изобретение относится к технологии получения селенида индия(III), широко используемого в микроэлектронике для получения детекторов ядерного излучения и при создании преобразователей солнечного излучения в качестве основы для такого материала, как диселенид меди(I) и индия CuInSe. Раствор для гидрохимического осаждения тонкой полупроводниковой пленки селенида индия(III) содержит соль индия(III), селенокарбамид, винную кислоту и сульфит натрия при следующих концентрациях реагентов, моль/л: соль индия(III) 0,01-0,15; селенокарбамид 0,005-0,1; винная кислота 0,01-0,06; сульфит натрия 0,005-0,1. Благодаря наличию таких добавок, как селенокарбамид и сульфит натрия, изменяются кинетика процесса и условия осаждения в сравнении с прототипом. Селенокарбамид является источником селенид-ионов. Сульфит натрия играет роль антиоксиданта, предотвращая окисление селенокарбамида в растворе. Винная кислота одновременно комплексует ионы индия и повышает буферную емкость реакционной смеси, поддерживая рН раствора на определенном уровне. Получаемые слои из данного раствора осаждения имеют хорошую адгезию к подложечному материалу и зеркальную поверхность. Их толщина составляет 300 нм. 1 табл., 2 пр. |
---|