CASSETTE FOR FUSING ELEMENTS OF SEMICONDUCTOR POWER DIODES

FIELD: physics, instrument-making.SUBSTANCE: invention relates to power electronics and can be used in fusing elements of power semiconductor devices. The cassette for fusing structural elements of semiconductor diodes comprises a base made of a carbon plate in which are embedded ceramic rods, on the latter a plate is mounted, wherein flat-topped cavities with depth equal to (1.5-2.5) of the diameter of the ceramic rods are formed on the outer edge circle of the ceramic rods. In the same plate on the inner edge of the ceramic rods there is a flat-topped cavity with a diameter equal to or greater than 10% of the diameter of a thermal compensator. In the region of the bottom of the cavity there is a through-hole, the lateral surface of which is inclined relative to the normal to the surface of the plate by an angle of 3-5 degrees to provide quality setting of elements of the semiconductor device in the cassette. The size of the diameter of the through-hole in the region of the surface of the ceiling of the flat-topped cavity is equal to the inner diameter on the edge of the ceramic rods.EFFECT: invention provides high efficiency of layout and recess of elements of semiconductor diodes, facilitates the process of setting structural elements of a semiconductor diode in manual and automatic mode.3 dwg Изобретение относится к области силовой электроники и может быть использовано при сплавлении элементов силовых полупроводниковых приборов. Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит основание, выполненное из пластины углерода, в котором внедрены керамические стержни, на последних установлена пластина, в которой по внешней образующей окружности керамических стержней изготавливают п-образные полости глубиной (1,5-2,5) диаметра керамических стержней. В той же пластине по внутренней образующей керамических стержней выполнена п-образная полость диаметром, равным или превышающим на 10% диаметр термокомпенсатора. В области дна полости выполняют сквозное отверстие, боковая поверхность которого наклонена относительно нормали к поверхности пластины на угол 3-5 градусов для обеспечения качественного набора элементов полупроводникового прибора в кассету. Причем размер диаметра сквозного отверстия в области поверхности потолка п-образной полости равен внутреннему диаметру, проведенному по образующей керамических стержней. Технический результат - повышение производительности закладки и выемки элементов полупроводниковых диодов, облегчение про