METHOD OF PRODUCTION OF ACTIVE LAYER FOR GENERAL-PURPOSE MEMORY ON BASIS OF RESISTIVE EFFECT

METHOD OF PRODUCTION OF ACTIVE LAYER FOR GENERAL-PURPOSE MEMORY ON BASIS OF RESISTIVE EFFECT

FIELD: electricity.SUBSTANCE: method of production of the active layer for the general-purpose memory on the basis of resistive effect includes deposition of the dielectric layer - hafnium oxide - on the underlay. As a result of deposition, hafnium oxide of non-stoichiometric composition is obtained...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Voronkovskij Vitalij Aleksandrovich, Islamov Damir Revinirovich, Gritsenko Vladimir Alekseevich, Aliev Vladimir Shakirovich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
ELECTRICITY
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator Voronkovskij Vitalij Aleksandrovich
Islamov Damir Revinirovich
Gritsenko Vladimir Alekseevich
Aliev Vladimir Shakirovich
description FIELD: electricity.SUBSTANCE: method of production of the active layer for the general-purpose memory on the basis of resistive effect includes deposition of the dielectric layer - hafnium oxide - on the underlay. As a result of deposition, hafnium oxide of non-stoichiometric composition is obtained - HfO, containing oxygen vacancies. The deposition is carried out by ion beam sputtering-deposition of Hf target in the oxygen-containing atmosphere. At the same time, stoichiometric composition x is set with partial oxygen pressure of x
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2611580C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2611580C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2611580C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZIjxdQ3x8HdR8HdTCAjydwl1DvH09wPxHIGsMFcFH8dI1yAFN_8gBXdXP9cgRx_dgNCgAP9gVwVfV1__oEgFoGonx2DPYJCeIFcgA6zN1c3N1TmEh4E1LTGnOJUXSnMzKLi5hjh76KYW5MenFhckJqfmpZbEB4UamRkamloYOBsaE6EEAEmWMfQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF PRODUCTION OF ACTIVE LAYER FOR GENERAL-PURPOSE MEMORY ON BASIS OF RESISTIVE EFFECT</title><source>esp@cenet</source><creator>Voronkovskij Vitalij Aleksandrovich ; Islamov Damir Revinirovich ; Gritsenko Vladimir Alekseevich ; Aliev Vladimir Shakirovich</creator><creatorcontrib>Voronkovskij Vitalij Aleksandrovich ; Islamov Damir Revinirovich ; Gritsenko Vladimir Alekseevich ; Aliev Vladimir Shakirovich</creatorcontrib><description>FIELD: electricity.SUBSTANCE: method of production of the active layer for the general-purpose memory on the basis of resistive effect includes deposition of the dielectric layer - hafnium oxide - on the underlay. As a result of deposition, hafnium oxide of non-stoichiometric composition is obtained - HfO, containing oxygen vacancies. The deposition is carried out by ion beam sputtering-deposition of Hf target in the oxygen-containing atmosphere. At the same time, stoichiometric composition x is set with partial oxygen pressure of x&lt;2. The value of pressure is selected within the range from 2×10Pa to 1×10Pa, including the above values.EFFECT: appearance of the hysteresis window on current-voltage characteristic of the resistance element, obtaining a reversible resistive switching without performing the forming process, and preventing a possible failure of the memory element in the preparatory phase of the work.5 cl, 2 dwg Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя диэлектрика - окиси гафния. При осаждении получают окись гафния нестехиометрического состава - HfO, содержащую вакансии кислорода. Осаждение проводят ионно-лучевым распылением-осаждением Hf мишени в кислородсодержащей атмосфере. При этом задают стехиометрический состав х с х&lt;2 парциальным давлением кислорода. Давление выбирают величиной от 2×10Па до 1×10Па, включая указанные значения. В результате обеспечивается появление на вольт-амперной характеристике резистивного элемента окна гистерезиса, получение обратимого резистивного переключения без осуществления процесса формовки, и предотвращение возможного выхода из строя элемента памяти на подготовительном к работе этапе. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>ELECTRICITY</subject><creationdate>2017</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20170228&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2611580C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20170228&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2611580C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Voronkovskij Vitalij Aleksandrovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Islamov Damir Revinirovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Gritsenko Vladimir Alekseevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Aliev Vladimir Shakirovich</creatorcontrib><title>METHOD OF PRODUCTION OF ACTIVE LAYER FOR GENERAL-PURPOSE MEMORY ON BASIS OF RESISTIVE EFFECT</title><description>FIELD: electricity.SUBSTANCE: method of production of the active layer for the general-purpose memory on the basis of resistive effect includes deposition of the dielectric layer - hafnium oxide - on the underlay. As a result of deposition, hafnium oxide of non-stoichiometric composition is obtained - HfO, containing oxygen vacancies. The deposition is carried out by ion beam sputtering-deposition of Hf target in the oxygen-containing atmosphere. At the same time, stoichiometric composition x is set with partial oxygen pressure of x&lt;2. The value of pressure is selected within the range from 2×10Pa to 1×10Pa, including the above values.EFFECT: appearance of the hysteresis window on current-voltage characteristic of the resistance element, obtaining a reversible resistive switching without performing the forming process, and preventing a possible failure of the memory element in the preparatory phase of the work.5 cl, 2 dwg Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя диэлектрика - окиси гафния. При осаждении получают окись гафния нестехиометрического состава - HfO, содержащую вакансии кислорода. Осаждение проводят ионно-лучевым распылением-осаждением Hf мишени в кислородсодержащей атмосфере. При этом задают стехиометрический состав х с х&lt;2 парциальным давлением кислорода. Давление выбирают величиной от 2×10Па до 1×10Па, включая указанные значения. В результате обеспечивается появление на вольт-амперной характеристике резистивного элемента окна гистерезиса, получение обратимого резистивного переключения без осуществления процесса формовки, и предотвращение возможного выхода из строя элемента памяти на подготовительном к работе этапе. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.</description><subject>ELECTRICITY</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2017</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZIjxdQ3x8HdR8HdTCAjydwl1DvH09wPxHIGsMFcFH8dI1yAFN_8gBXdXP9cgRx_dgNCgAP9gVwVfV1__oEgFoGonx2DPYJCeIFcgA6zN1c3N1TmEh4E1LTGnOJUXSnMzKLi5hjh76KYW5MenFhckJqfmpZbEB4UamRkamloYOBsaE6EEAEmWMfQ</recordid><startdate>20170228</startdate><enddate>20170228</enddate><creator>Voronkovskij Vitalij Aleksandrovich</creator><creator>Islamov Damir Revinirovich</creator><creator>Gritsenko Vladimir Alekseevich</creator><creator>Aliev Vladimir Shakirovich</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20170228</creationdate><title>METHOD OF PRODUCTION OF ACTIVE LAYER FOR GENERAL-PURPOSE MEMORY ON BASIS OF RESISTIVE EFFECT</title><author>Voronkovskij Vitalij Aleksandrovich ; Islamov Damir Revinirovich ; Gritsenko Vladimir Alekseevich ; Aliev Vladimir Shakirovich</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2611580C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2017</creationdate><topic>ELECTRICITY</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Voronkovskij Vitalij Aleksandrovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Islamov Damir Revinirovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Gritsenko Vladimir Alekseevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Aliev Vladimir Shakirovich</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Voronkovskij Vitalij Aleksandrovich</au><au>Islamov Damir Revinirovich</au><au>Gritsenko Vladimir Alekseevich</au><au>Aliev Vladimir Shakirovich</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF PRODUCTION OF ACTIVE LAYER FOR GENERAL-PURPOSE MEMORY ON BASIS OF RESISTIVE EFFECT</title><date>2017-02-28</date><risdate>2017</risdate><abstract>FIELD: electricity.SUBSTANCE: method of production of the active layer for the general-purpose memory on the basis of resistive effect includes deposition of the dielectric layer - hafnium oxide - on the underlay. As a result of deposition, hafnium oxide of non-stoichiometric composition is obtained - HfO, containing oxygen vacancies. The deposition is carried out by ion beam sputtering-deposition of Hf target in the oxygen-containing atmosphere. At the same time, stoichiometric composition x is set with partial oxygen pressure of x&lt;2. The value of pressure is selected within the range from 2×10Pa to 1×10Pa, including the above values.EFFECT: appearance of the hysteresis window on current-voltage characteristic of the resistance element, obtaining a reversible resistive switching without performing the forming process, and preventing a possible failure of the memory element in the preparatory phase of the work.5 cl, 2 dwg Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя диэлектрика - окиси гафния. При осаждении получают окись гафния нестехиометрического состава - HfO, содержащую вакансии кислорода. Осаждение проводят ионно-лучевым распылением-осаждением Hf мишени в кислородсодержащей атмосфере. При этом задают стехиометрический состав х с х&lt;2 парциальным давлением кислорода. Давление выбирают величиной от 2×10Па до 1×10Па, включая указанные значения. В результате обеспечивается появление на вольт-амперной характеристике резистивного элемента окна гистерезиса, получение обратимого резистивного переключения без осуществления процесса формовки, и предотвращение возможного выхода из строя элемента памяти на подготовительном к работе этапе. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_RU2611580C1
source esp@cenet
subjects ELECTRICITY
title METHOD OF PRODUCTION OF ACTIVE LAYER FOR GENERAL-PURPOSE MEMORY ON BASIS OF RESISTIVE EFFECT
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-07T02%3A54%3A55IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Voronkovskij%20Vitalij%20Aleksandrovich&rft.date=2017-02-28&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2611580C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true