COATED ARTICLE WITH LOW-EMISSIVITY COATING HAVING BARRIER LAYER SYSTEM(S) INCLUDING MULTIPLE DIELECTRIC LAYERS, AND/OR METHODS OF MAKING SAME
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to articles with coatings with low emissivity. Multi-layer thin-film coating, applied on a glass substrate, comprises following layers with distance from substrate: silicon-based first layer; first dielectric layer; second dielectric layer, separated by...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to articles with coatings with low emissivity. Multi-layer thin-film coating, applied on a glass substrate, comprises following layers with distance from substrate: silicon-based first layer; first dielectric layer; second dielectric layer, separated by a third dielectric layer, so as to form first and second parts of second dielectric layer; metal layer; top contact layer, consisting of Ni and/or Cr oxide; fourth dielectric layer; silicon-based second layer. Third dielectric layer is based on titanium oxide, or tin oxide.EFFECT: technical result is higher mechanical strength, corrosion resistance and heat resistance of coated article.26 cl, 4 tbl, 3 dwg
Изобретение относится к изделиям с покрытиями с низкой эмисионной способностью. Технический результат - повышение механической стойкости, коррозионной стойкости и термической стойкости изделия с покрытием. Многослойное тонкопленочное покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, содержит следующие слои по мере удаления от подложки: первый слой на основе кремния; первый диэлектрический слой; второй диэлектрический слой, разделенный третьим диэлектрическим слоем, так, что образуются первая и вторая части второго диэлектрического слоя; металлический слой; верхний контактный слой, состоящий из оксида Ni и/или Cr; четвертый диэлектрический слой; второй слой на основе кремния. Третий диэлектрический слой выполнен на основе оксида титана, либо оксида олова. 4 н. и 22 з.п. ф-лы, 4 табл., 3 ил. |
---|