SILICON EPITAXIAL STRUCTURE PRODUCING METHOD

FIELD: electrical engineering.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor structures production field and can be used for production of silicon single- or multilayer structures, used in modern microelectronics power devices technology. Summary of invention consists in fact, that during epitaxial structure forming auto doping effect limitation occurs due to successive forming of protective layer part on substrate non-working surface until reaching required thickness half value, epitaxial layer deposition on substrate working surface with thickness of 3-4 mqm, protective layer formation on substrate non-working surface to required thickness and epitaxial layer deposition on substrate working surface to required thickness.EFFECT: using given method enables to increase silicon epitaxial layers parameters homogeneity and, therefore, to increase silicon epitaxial structures production yield.1 cl, 1 dwg Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур и может быть использовано при изготовлении кремниевых одно- или многослойных структур, используемых в технологии силовых приборов современной микроэлектроники. Сущность изобретения состоит в том, что при формировании эпитаксиальной структуры ограничение эффекта автолегирования происходит за счет последовательного формирования части защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до достижения половины значения требуемой толщины, осаждения эпитаксиального слоя на рабочей поверхности подложки толщиной 3-4 мкм, формирования защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до требуемого значения толщины и осаждения эпитаксиального слоя на рабочей поверхности подложки до требуемой толщины. Использование данного способа позволит повысить однородность параметров кремниевых эпитаксиальных слоев и, следовательно, повысить выход годных при производстве кремниевых эпитаксиальных структур. 1 ил.