METHOD OF CHANGING DIRECTION AND REDUCTION OF DIVERGENCE OF RADIATION OF SEMICONDUCTOR VERTICALLY EMITTING LASER

FIELD: physics.SUBSTANCE: method of changing direction and reduction of divergence of radiation of semiconductor vertically emitting laser involves measurement of VCSEL beam pattern. Radiation model is used for simulation of diffraction grating to provide required turn of radiation and propagation diagram. Based on model diffraction grating is made. Diffraction grating and emitter crystal are heated. Diffraction grating is placed and glued to emitter crystal.EFFECT: wider range of methods of changing direction and reduction of divergence of radiation of semiconductor vertically emitting laser.1 cl, 2 dwg Способ изменения направления и уменьшения расходимости излучения полупроводникового вертикально излучающего лазера включает в себя измерение диаграммы направленности VCSEL. Используют модель излучения для моделирования дифракционной решетки таким образом, чтобы обеспечить требуемый поворот излучения и диаграмму его распространения. На основании модели изготавливают дифракционную решетку. Разогревают дифракционную решетку и кристалл излучателя. На кристалл излучателя помещают дифракционную решетку и производят их склеивание. Технический результат изобретения - расширение арсенала способов изменения направления и уменьшения расходимости излучения полупроводникового вертикально излучающего лазера. 2 ил.