METHOD OF MAKING VACUUM SENSOR BY NANO STRUCTURE BASED ON MIXED SEMICONDUCTOR OXIDES AND VACUUM SENSOR BASED THEREON

FIELD: gas industry.SUBSTANCE: invention relates to diluted gas pressure sensors, as well as methods of said sensors making. Method of pressure sensors making includes formation of heterostructure, producing of thin-film semiconductor resistor in it, having shape of netted nano structure (SiO)(SnO)(InO)(where c is InOmass fraction, 1 %≤c≤15 %), securing of said heterostructure in sensor housing, and connection of heterostructure contact pads with housing outputs by contact conductors. Pressure sensor manufactured in compliance with proposed method, includes in its structure housing, installed in it thin-film heterogeneous structure with thin-film semiconductor resistor formed in it, contact sites, which formed in heterogeneous structure, housing outputs and contact conductors connecting contact pads with housing outputs.EFFECT: technical result of invention consists in increase of pressure sensor sensitivity when performing measurements in low vacuum area.2 cl, 8 dwg Изобретение относится к датчикам давления разреженного газа, а также к способам изготовления таких датчиков. Способ изготовления датчиков давления включает образование гетероструктуры, формирование в ней тонкопленочного полупроводникового резистора, имеющего вид сетчатой наноструктуры (SiO)(SnO)(InO)(где c - массовая доля InO, 1%≤с≤15%), закрепление указанной гетероструктуры в корпусе датчика, и соединение контактных площадок гетероструктуры с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Датчик давления, изготовленный в соответствии с предложенным способом, включает в свою конструкцию корпус, установленную в нем тонкопленочную гетерогенную структуру со сформированным в ней тонкопленочным полупроводниковым резистором, контактные площадки, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса. Технический результат изобретения заключается в увеличении чувствительности датчика давления при осуществлении измерений в области низкого вакуума. 2 н.п. ф-лы, 8 ил.