METHOD FOR DETERMINING RESISTANCE OF MICROWAVE SEMICONDUCTOR DEVICES TO EFFECT OF IONIZING RADIATIONS

FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention can be used for rejecting semiconductor devices. Core of invention is feeding to each device from a group of single-type instruments with constant supply voltages, applying a sequence of cycles of ionizing radiation, the dose of which is accumulated in each cycle in order to obtain caused by it increment of integral low-frequency noise of the device over the noise of its initial state, analyzing the increments of integral noise with growth of the cumulative dose, determining the increment of integral noise achieved by the moment of completion of the M-th cycle, from which there is the start of a firm registration of change of operating current of the device, rejecting instruments of those types, in which the average value of integral noise increment per a dose unit achieved by the moment of completion of the M-th cycle is higher than that of other types instruments.EFFECT: provided is higher reliability of determining resistance of semiconductor devices to infiltrating ionizing radiations.1 cl, 2 dwg Использование: для отбраковки полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в подаче на каждый прибор из группы однотипных приборов неизменные напряжения питания, приложении последовательности циклов ионизирующего излучения, доза которого накапливается в каждом цикле с тем, чтобы получить вызванное ею приращение интегрального низкочастотного шума прибора над шумами его исходного состояния, анализе приращений интегрального шума с ростом накопленной дозы, определении приращения интегрального шума, достигнутого к моменту окончания М-го цикла, с которого начинают уверенно фиксироваться изменения рабочего тока прибора, выбраковке приборов тех типов, у которых среднее значение приращения интегрального шума на единицу дозы, достигнутое к моменту окончания М-го цикла, оказывается больше, чем у приборов других типов. Технический результат: обеспечение возможности повышения достоверности определения стойкости полупроводниковых приборов к проникающим ионизирующим излучениям. 2 ил.