METHOD OF OBTAINING EPITAXIAL LAYERS OF CdHgTe OF p-TYPE OF CONDUCTIVITY

FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention relates to materials of electronic equipment, namely to methods of obtaining epitaxial layers of semiconductor solid solutions of CdHgTe for making on their basis photovoltaic infrared radiation receivers. Method of obtaining epitaxial layers of CdHgTe of p-type conductivity involves growing an epitaxial layer of CdHgTe with a chemical composition within the range from x=0.19 to x=0.33 of molar ratio of cadmium telluride by liquid-phase epitaxy in a sealed quartz ampoule from a melt-solution based on tellurium at the temperature of 500÷515 °C and in situ annealing the epitaxial layer in vapors of charge, from which it was grown, first at the temperature of 350÷370 °C during 1÷2 hours, and then at the temperature of 200÷240 °C during 20÷24 hours. Technical result of the invention is reproducible obtaining the epitaxial layers of CdHgTe of p-type of conductivity with the concentration of charge carriers of (0.5÷2.0)×10cmat 77K with high values of mobility of the charge carriers and uniform distribution of electrophysical characteristics throughout the thickness of the epitaxial layer, as well as reduced time for production of the epitaxial layers.EFFECT: proposed is a method of obtaining epitaxial layers of semiconductor solid solutions of CdHgTe for making on their basis photovoltaic infrared radiation receivers.1 cl, 1 tbl Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdHgTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdHgTe р-типа проводимости включает выращивание эпитаксиального слоя CdHgTe с химическим составом в интервале от х=0,19 до х=0,33 мольной доли теллурида кадмия методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле из раствора-расплава на основе теллура при температуре 500÷515°С и in situ отжиг эпитаксиального слоя в парах шихты, из которой он был выращен, сначала при температуре 350÷370°С в течение 1÷2 ч, а затем при температуре 200÷240°С в течение 20÷24 ч. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdHgTe р-типа проводимости с концентрацией носителей заряда (0,5÷2,0)×10смпри 77К с высокими значениями подвижности носителей заряда и однородным распределением электрофизических характеристик по толщине эпитаксиального слоя, а также сокращение времени производства эпитакс