METHOD OF PRODUCING FINELY DISPERSED SILICON DIOXIDE

FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention relates to methods of producing finely dispersed silicon dioxide. Method of producing silicon dioxide is carried out by leaching of siliceous material while heating with subsequent filtering to obtain a solution of sodium or potassium liquid glass and insoluble part. Solution of sodium or potassium liquid glass is mixed with a solution of a precipitation agent. Precipitation agent used is aqueous solution of magnesium nitrate. Magnesium silicate precipitate formed is separated by filtration from solution of sodium nitrate without flushing and treated with solution of nitric acid to produce silicon dioxide and magnesium nitrate solution. Silicon dioxide is separated by filtration, washed and dried. Technical result is efficient extraction of silica-containing raw materials of silicon dioxide containing SiO- 98.341÷99.859 %. Obtained silicon dioxide has specific surface area 680.5÷731.5 m/g.EFFECT: efficient extraction of silicon dioxide.6 cl, 1 dwg, 1 tbl, 5 ex Изобретение относится к способам получения высокодисперсного диоксида кремния. Способ получения диоксида кремния осуществляют путем выщелачивания кремнеземистого сырья при нагревании с последующим фильтрованием с получением раствора натриевого или калиевого жидкого стекла и нерастворимой части. Раствор натриевого или калиевого жидкого стекла смешивают с раствором осадителя. В качестве осадителя берут водный раствор нитрата магния. Образовавшийся осадок силиката магния отделяют фильтрацией от раствора нитрата натрия без промывки и обрабатывают раствором азотной кислоты с получением диоксида кремния и раствора нитрата магния. Диоксид кремния отделяют фильтрацией, промывают и сушат. Техническим результатом является эффективное извлечение из кремнеземсодержащего сырья диоксида кремния с содержанием SiO- 98,341÷99,859%. Полученный диоксид кремния имеет удельную поверхность 680,5÷731,5 м/г. 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 5 пр.