MAGNETIC TRANSISTOR WITH COLLECTOR CURRENT COMPENSATION
FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor electronics. Magnetic transistor with collector current compensation comprises silicone single-crystal substrate, diffusion pocket, base area in pocket, emitter areas, first and second measurement collectors at base, contact areas to b...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor electronics. Magnetic transistor with collector current compensation comprises silicone single-crystal substrate, diffusion pocket, base area in pocket, emitter areas, first and second measurement collectors at base, contact areas to base, diffusion pocket and substrate. Magnetic transistor is characterised by geometry of areas of heavily doped contacts to base and offset voltage on said contacts, wherein part of areas of collectors transmits sink current from the emitter, and other part of drain current towards contact to base. Said currents compensate collector current in initial state, which increases ratio of collector current in magnetic field to collector current without magnetic field and thus higher sensitivity of collector current.EFFECT: magnetic transistor with compensation of collector current in integrated magnetic sensors increases sensitivity to magnetic field perpendicular to surface of chip.1 cl, 6 dwg
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке. Магнитотранзистор отличается геометрией областей сильнолегированных контактов к базе и напряжением смещения на этих контактах, при котором на части областей коллекторов проходит втекающий ток от эмиттера, а на другой части вытекающий ток в сторону контакта к базе. Эти токи компенсируют ток коллекторов в исходном состоянии, что повышает отношение тока коллекторов в магнитном поле к току коллекторов без магнитного поля и таким образом повышает чувствительность по току коллекторов. Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла. 6 ил. |
---|