PHOTODETECTOR BASED ON STRUCTURE WITH QUANTUM WELLS

FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention relates to photosensitive semiconductor devices operating in infrared part of spectrum, and can be used in designing mono- and multi-element radiation receivers with photosensitive elements on basis of quantum well structure. Photodetector based on structure with quantum wells includes semi-insulating substrate of GaAs, on which are grown heavily doped lower and upper contact layers of GaAs, and between them multiple periods barrier-pit composition AlGaAs-GaAs, in which at boundaries of barrier-pit there are areas of energy of conduction bottom lifting barrier, formed in it AlGaAs, penetrating through multiple periods of barrier-pit between upper and lower contact layers and having characteristic thickness in plane of layers and concentration of alloying admixture such that region of space charge at boundaries with quantum wells distributed over entire thickness of said regions.EFFECT: high operating temperature and, therefore, considerable reduction of requirements to cooling system, reduces power consumption and weigh and overall characteristics of equipment based on it.1 cl, 4 dwg Изобретение относится к фоточувствительным полупроводниковым приборам, работающим в инфракрасной области спектра, и может быть использовано при создании одно- и многоэлементных приемников излучения с фоточувствительными элементами на основе структуры с квантовыми ямами. Фотоприемник на основе структуры с квантовыми ямами содержит подложку из полуизолирующего GaAs, на которой выращены сильно легированные нижний и верхний контактные слои из GaAs, а между ними множество периодов барьер - яма состава AlGaAs-GaAs, в которых на границах барьер - яма имеются области подъема энергии дна зоны проводимости барьера, при этом в нем сформированы области AlGaAs, проникающие сквозь множество периодов барьер - яма между верхним и нижним контактными слоями и имеющие характерную толщину в плоскости слоев и концентрацию легирующей примеси такие, что область пространственного заряда на границах с квантовыми ямами распространяется на всю толщину указанных областей. Техническим результатом является повышение рабочей температуры. Следствием указанного результата является существенное снижение требований к системе охлаждения, уменьшает энергопотребление и весогабаритные характеристики аппаратуры на его основе. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.