SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF MAKING SAID DEVICE AND IMAGING SYSTEM

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: solid-state imaging device comprises first semiconductor region of first conductivity type, provided on substrate by epitaxial growth, second semiconductor region of first conductivity type, provided on first semiconductor region, and third semiconductor region of second conductivity type, provided in second semiconductor region to form p-n-junction with second semiconductor region, wherein first semiconductor region is formed so that concentration of impurities decreases from side of substrate to side of third semiconductor area and distribution of concentration of impurities in second semiconductor region is formed by ion implantation.EFFECT: higher efficiency of transferring charges generated by photoelectric conversion.25 cl, 6 dwg Твердотельное устройство формирования изображения содержит первую полупроводниковую область первого типа проводимости, обеспеченную на подложке методом эпитаксиального выращивания, вторую полупроводниковую область первого типа проводимости, обеспеченную на первой полупроводниковой области, и третью полупроводниковую область второго типа проводимости, обеспеченную во второй полупроводниковой области так, чтобы образовать p-n-переход со второй полупроводниковой областью, причем первая полупроводниковая область сформирована так, что концентрация примеси уменьшается от стороны подложки к стороне третьей полупроводниковой области, и распределение концентрации примеси во второй полупроводниковой области формируется методом ионной имплантации. Изобретение обеспечивает повышение эффективности переноса зарядов, генерируемых посредством фотоэлектрического преобразования. 3 н. и 22 з.п. ф-лы, 6 ил.