METHOD FOR BENCH ACOUSTIC-EMISSION MEASUREMENTS ON SAMPLES OF MATERIALS AT CRYOGENIC TEMPERATURES
FIELD: physics.SUBSTANCE: invention can be used for bench acoustic-emission measurements at cryogenic temperatures. Invention consists in that method for bench acoustic-emission measurements on samples of materials at cryogenic temperatures involves tests by using a special device - cryothermostat,...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: invention can be used for bench acoustic-emission measurements at cryogenic temperatures. Invention consists in that method for bench acoustic-emission measurements on samples of materials at cryogenic temperatures involves tests by using a special device - cryothermostat, which is assembled directly on sample for testing, installation of piezoelectric transducers of acoustic emission via waveguides outside of sample and gap of sample with detection of acoustic emission signals.EFFECT: technical result is possibility of maintaining specified parameters of cryogenic temperature of samples for bench acoustic-emission measurements when piezoelectric transducers are placed directly on sample.1 cl, 3 dwg
Использование: для стендовых акустико-эмиссионных измерений при криогенных температурах. Сущность изобретения заключается в том, что способ стендовых акустико-эмиссионных измерений на образцах материалов при криогенных температурах включает проведение испытаний путем применения специального устройства - криотермоса, который собирается непосредственно на образце для испытаний, установку пьезопреобразователей акустической эмиссии через волноводы за пределами образца и разрыв образца с регистрацией сигналов акустической эмиссии. Технический результат: обеспечение возможности поддержания заданных параметров криогенной температуры образцов для проведения стендовых акустико-эмиссионных измерений при размещении пьезоэлектрических датчиков непосредственно на образце. 3 ил. |
---|