METHOD FOR MOUNTING POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT
FIELD: radio engineering.SUBSTANCE: invention can be used for production of radioelectronic devices. When mounting a power semiconductor element containing housing, heat-removing base connected to housing, at least one crystal, located in housing on heat-removing base, and outputs for transfer of hi...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: radio engineering.SUBSTANCE: invention can be used for production of radioelectronic devices. When mounting a power semiconductor element containing housing, heat-removing base connected to housing, at least one crystal, located in housing on heat-removing base, and outputs for transfer of high-frequency signal, first heat-removing base in area, maximally close to said at least one crystal, electrically and mechanically connected to grounding surface, at least one intermediate printed circuit board, having thickness to provide for its elastic deformation. Outputs for transfer of high-frequency signal are electrically connected with flat conductors arranged on its opposite surface to make matched sections of signal transmission. Method includes electrically and mechanically connecting said at least one intermediate printed-circuit board with main printed circuit board.EFFECT: technical result is providing optimum matching of input and output impedances, reduction of incidental reactive component, higher maximum output power for electronic device.4 cl, 10 dwg
Изобретение может быть использовано при изготовлении радиоэлектронных устройств. Технический результат - обеспечение оптимального согласования входного и выходного импедансов, уменьшение паразитной реактивной составляющей, увеличение максимальной выходной мощности радиоэлектронного устройства. Достигается тем, что при монтаже мощного полупроводникового элемента, содержащего корпус, теплоотводящее основание, связанное с корпусом, по меньшей мере, один кристалл, расположенный в корпусе на теплоотводящем основании, и выводы для передачи высокочастотного сигнала, сначала теплоотводящее основание в зоне, максимально близкой к упомянутому, по меньшей мере, одному кристаллу, электрически и механически соединяют с заземляющей поверхностью, по меньшей мере, одной промежуточной печатной платы, имеющей толщину, позволяющую осуществить ее упругую деформацию. Выводы для передачи высокочастотного сигнала электрически соединяют с плоскими проводниками, расположенными на ее противоположной поверхности, с образованием согласованных участков передачи сигнала. Затем электрически и механически соединяют упомянутую, по меньшей мере, одну промежуточную печатную плату с основной печатной платой. 3 з.п. ф-лы, 10 ил. |
---|