METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY

FIELD: physics.SUBSTANCE: in the method of making a photodetector array, a channel with a defined depth is etched on the front side of a photosensitive element before hybridisation. During thinning, when polishing reaches the bottom of the channel, owing to the given width of the depression, there i...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH, UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA, EROSHENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH, KISELEVA LARISA VASIL'EVNA, VLASOV PAVEL VALENTINOVICH, KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA, SAVOSTIN ALEKSANDR VIKTOROVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH
UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA
EROSHENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH
KISELEVA LARISA VASIL'EVNA
VLASOV PAVEL VALENTINOVICH
KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA
SAVOSTIN ALEKSANDR VIKTOROVICH
description FIELD: physics.SUBSTANCE: in the method of making a photodetector array, a channel with a defined depth is etched on the front side of a photosensitive element before hybridisation. During thinning, when polishing reaches the bottom of the channel, owing to the given width of the depression, there is a sharp change in the size of the base region which can be detected visually. At that instant, thinning is stopped - the obtained crystal has even edges and a fixed size defined by photographic masks under the depression. In order to make a depression after etching indium microcontacts, a thin SiO film is sprayed without removing the lower protective and the upper photoresist. Further, photolithography is performed on SiO using a rectangular photographic mask which opens the place under the depression. Further, the method includes plasma-chemical etching of SiO at the site of the depression and wet chemical etching of the depression directly by the required depth. The photoresist is removed, the remaining SiO film is plasma-chemically etched away and the photoresist remains are removed.EFFECT: thinning the base region of a photosensitive element to obtain the required quality and reproducibility of boundaries and thickness.4 cl, 12 dwg Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изобретение обеспечивает утоньшение базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемого качества и воспроизводимости границ и толщины. В способе изготовления матричного фотоприемника на лицевой стороне фоточувствительного элемента до гибридизации протравливают канавку определенной глубины. В процессе утоньшения, когда полировка доходит до дна канавки, вследствие заданной ширины углубления происходит резкое изменение габаритов базовой области, которое можно зафиксировать визуально. В этот момент утоньшение прекращают - полученный кристалл имеет ровные края и фиксированный размер, заданный фотошаблонами под углубление. При этом для изготовления углубления после травления индиевых микроконтактов, не снимая нижний защитный и верхний фоторезисты, напыляют тонкую пленку SiO. Далее делают фотолитографию по SiO с помощью прямоугольного фотошаблона, открывающего место под углубление. Затем следует плазмохимическое травление SiO в месте углубления и жидкостное химическое травление непосредственно углубления на требуемую величину. Удаляют фоторезист, плаз
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2573714C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2573714C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2573714C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZFDxdQ3x8HdR8HdT8HX09vRzVwjw8A_xd3ENcXUO8Q9ScAwKcozkYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxQaFGpubG5oYmzobGRCgBADxQIsU</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY</title><source>esp@cenet</source><creator>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH ; UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA ; EROSHENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH ; KISELEVA LARISA VASIL'EVNA ; VLASOV PAVEL VALENTINOVICH ; KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA ; SAVOSTIN ALEKSANDR VIKTOROVICH</creator><creatorcontrib>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH ; UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA ; EROSHENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH ; KISELEVA LARISA VASIL'EVNA ; VLASOV PAVEL VALENTINOVICH ; KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA ; SAVOSTIN ALEKSANDR VIKTOROVICH</creatorcontrib><description>FIELD: physics.SUBSTANCE: in the method of making a photodetector array, a channel with a defined depth is etched on the front side of a photosensitive element before hybridisation. During thinning, when polishing reaches the bottom of the channel, owing to the given width of the depression, there is a sharp change in the size of the base region which can be detected visually. At that instant, thinning is stopped - the obtained crystal has even edges and a fixed size defined by photographic masks under the depression. In order to make a depression after etching indium microcontacts, a thin SiO film is sprayed without removing the lower protective and the upper photoresist. Further, photolithography is performed on SiO using a rectangular photographic mask which opens the place under the depression. Further, the method includes plasma-chemical etching of SiO at the site of the depression and wet chemical etching of the depression directly by the required depth. The photoresist is removed, the remaining SiO film is plasma-chemically etched away and the photoresist remains are removed.EFFECT: thinning the base region of a photosensitive element to obtain the required quality and reproducibility of boundaries and thickness.4 cl, 12 dwg Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изобретение обеспечивает утоньшение базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемого качества и воспроизводимости границ и толщины. В способе изготовления матричного фотоприемника на лицевой стороне фоточувствительного элемента до гибридизации протравливают канавку определенной глубины. В процессе утоньшения, когда полировка доходит до дна канавки, вследствие заданной ширины углубления происходит резкое изменение габаритов базовой области, которое можно зафиксировать визуально. В этот момент утоньшение прекращают - полученный кристалл имеет ровные края и фиксированный размер, заданный фотошаблонами под углубление. При этом для изготовления углубления после травления индиевых микроконтактов, не снимая нижний защитный и верхний фоторезисты, напыляют тонкую пленку SiO. Далее делают фотолитографию по SiO с помощью прямоугольного фотошаблона, открывающего место под углубление. Затем следует плазмохимическое травление SiO в месте углубления и жидкостное химическое травление непосредственно углубления на требуемую величину. Удаляют фоторезист, плазмохимически стравливают оставшуюся пленку SiO и удаляют остатки фоторезиста. 3 з.п. ф-лы, 12 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC ; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS ; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><creationdate>2016</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20160127&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2573714C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20160127&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2573714C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>EROSHENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KISELEVA LARISA VASIL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>VLASOV PAVEL VALENTINOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>SAVOSTIN ALEKSANDR VIKTOROVICH</creatorcontrib><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY</title><description>FIELD: physics.SUBSTANCE: in the method of making a photodetector array, a channel with a defined depth is etched on the front side of a photosensitive element before hybridisation. During thinning, when polishing reaches the bottom of the channel, owing to the given width of the depression, there is a sharp change in the size of the base region which can be detected visually. At that instant, thinning is stopped - the obtained crystal has even edges and a fixed size defined by photographic masks under the depression. In order to make a depression after etching indium microcontacts, a thin SiO film is sprayed without removing the lower protective and the upper photoresist. Further, photolithography is performed on SiO using a rectangular photographic mask which opens the place under the depression. Further, the method includes plasma-chemical etching of SiO at the site of the depression and wet chemical etching of the depression directly by the required depth. The photoresist is removed, the remaining SiO film is plasma-chemically etched away and the photoresist remains are removed.EFFECT: thinning the base region of a photosensitive element to obtain the required quality and reproducibility of boundaries and thickness.4 cl, 12 dwg Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изобретение обеспечивает утоньшение базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемого качества и воспроизводимости границ и толщины. В способе изготовления матричного фотоприемника на лицевой стороне фоточувствительного элемента до гибридизации протравливают канавку определенной глубины. В процессе утоньшения, когда полировка доходит до дна канавки, вследствие заданной ширины углубления происходит резкое изменение габаритов базовой области, которое можно зафиксировать визуально. В этот момент утоньшение прекращают - полученный кристалл имеет ровные края и фиксированный размер, заданный фотошаблонами под углубление. При этом для изготовления углубления после травления индиевых микроконтактов, не снимая нижний защитный и верхний фоторезисты, напыляют тонкую пленку SiO. Далее делают фотолитографию по SiO с помощью прямоугольного фотошаблона, открывающего место под углубление. Затем следует плазмохимическое травление SiO в месте углубления и жидкостное химическое травление непосредственно углубления на требуемую величину. Удаляют фоторезист, плазмохимически стравливают оставшуюся пленку SiO и удаляют остатки фоторезиста. 3 з.п. ф-лы, 12 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</subject><subject>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><subject>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2016</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFDxdQ3x8HdR8HdT8HX09vRzVwjw8A_xd3ENcXUO8Q9ScAwKcozkYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxQaFGpubG5oYmzobGRCgBADxQIsU</recordid><startdate>20160127</startdate><enddate>20160127</enddate><creator>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH</creator><creator>UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA</creator><creator>EROSHENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH</creator><creator>KISELEVA LARISA VASIL'EVNA</creator><creator>VLASOV PAVEL VALENTINOVICH</creator><creator>KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</creator><creator>SAVOSTIN ALEKSANDR VIKTOROVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20160127</creationdate><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY</title><author>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH ; UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA ; EROSHENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH ; KISELEVA LARISA VASIL'EVNA ; VLASOV PAVEL VALENTINOVICH ; KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA ; SAVOSTIN ALEKSANDR VIKTOROVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2573714C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2016</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</topic><topic>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</topic><topic>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>EROSHENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KISELEVA LARISA VASIL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>VLASOV PAVEL VALENTINOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>SAVOSTIN ALEKSANDR VIKTOROVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH</au><au>UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA</au><au>EROSHENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH</au><au>KISELEVA LARISA VASIL'EVNA</au><au>VLASOV PAVEL VALENTINOVICH</au><au>KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</au><au>SAVOSTIN ALEKSANDR VIKTOROVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY</title><date>2016-01-27</date><risdate>2016</risdate><abstract>FIELD: physics.SUBSTANCE: in the method of making a photodetector array, a channel with a defined depth is etched on the front side of a photosensitive element before hybridisation. During thinning, when polishing reaches the bottom of the channel, owing to the given width of the depression, there is a sharp change in the size of the base region which can be detected visually. At that instant, thinning is stopped - the obtained crystal has even edges and a fixed size defined by photographic masks under the depression. In order to make a depression after etching indium microcontacts, a thin SiO film is sprayed without removing the lower protective and the upper photoresist. Further, photolithography is performed on SiO using a rectangular photographic mask which opens the place under the depression. Further, the method includes plasma-chemical etching of SiO at the site of the depression and wet chemical etching of the depression directly by the required depth. The photoresist is removed, the remaining SiO film is plasma-chemically etched away and the photoresist remains are removed.EFFECT: thinning the base region of a photosensitive element to obtain the required quality and reproducibility of boundaries and thickness.4 cl, 12 dwg Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изобретение обеспечивает утоньшение базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемого качества и воспроизводимости границ и толщины. В способе изготовления матричного фотоприемника на лицевой стороне фоточувствительного элемента до гибридизации протравливают канавку определенной глубины. В процессе утоньшения, когда полировка доходит до дна канавки, вследствие заданной ширины углубления происходит резкое изменение габаритов базовой области, которое можно зафиксировать визуально. В этот момент утоньшение прекращают - полученный кристалл имеет ровные края и фиксированный размер, заданный фотошаблонами под углубление. При этом для изготовления углубления после травления индиевых микроконтактов, не снимая нижний защитный и верхний фоторезисты, напыляют тонкую пленку SiO. Далее делают фотолитографию по SiO с помощью прямоугольного фотошаблона, открывающего место под углубление. Затем следует плазмохимическое травление SiO в месте углубления и жидкостное химическое травление непосредственно углубления на требуемую величину. Удаляют фоторезист, плазмохимически стравливают оставшуюся пленку SiO и удаляют остатки фоторезиста. 3 з.п. ф-лы, 12 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_RU2573714C1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC
GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
title METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-13T00%3A17%3A38IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=LOPUKHIN%20ALEKSEJ%20ALEKSEEVICH&rft.date=2016-01-27&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2573714C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true