PRODUCTION OF HETEROSTRUCTURE FOR TRANSLUCENT PHOTOCATHODE

FIELD: physics.SUBSTANCE: claimed heterostructure for translucent photocathode of Ga arsenide by MOS-hydride epitaxy. Here locking ply and active region are grown at 600-640°C. Additionally, this structure includes transition ply of composition varying from p-GaAs to p-AlGaAs. Note that at growing the temperature is increased to 700-760°C. Buffer ply is grown on said transition ply at 700-760°C. Ply growth rate makes from 0.1 to 3 mcm/hour. Metalorganic zinc compound flow is selected to ensure the required concentration of acceptor dopant in grown plies.EFFECT: higher quantum efficiency of photocathode.3 cl, 1 dwg Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов методом газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений, в частности к технологии выращивания гетероструктуры для полупроводникового полупрозрачного фотокатода с активным слоем из арсенида галлия, фоточувствительного в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне. В способе изготовления гетероструктуры для полупроводникового полупрозрачного фотокатода из арсенида галлия методом МОС-гидридной эпитаксии, при котором стопорный слой и активная область выращиваются при температурах 600-640°C, в структуру введен переходной слой переменного состава от p-GaAs до p-AlGaAs. При его выращивании повышают температуру до 700-760°С. На нем выращивают буферный слой при температурах 700-760°C. Скорость выращивания слоев выбрана в диапазоне от 0,1 до 3 мкм/час. Поток металлорганического соединения цинка выбирают так, чтобы обеспечить требуемую концентрацию акцепторной примеси в выращиваемых слоях. С использованием данного способа получены фотокатоды с повышенной минимум на 10% квантовой эффективностью. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.