METHOD AND DEVICE OF THERMO-PHOTOELECTRIC CONVERTERS WITH MICRON GAP (MPTV) OF HIGH DEGREE WITH SUBMICRON GAP
FIELD: process engineering.SUBSTANCE: claimed invention relates to thermo-photoelectric converters with micro gap (MTPV) for solid-state heat-to-electricity converters. It consists in creation and maintenance of miniature distance between two bodies in submicron gap for perfection of conversion. Whi...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: process engineering.SUBSTANCE: claimed invention relates to thermo-photoelectric converters with micro gap (MTPV) for solid-state heat-to-electricity converters. It consists in creation and maintenance of miniature distance between two bodies in submicron gap for perfection of conversion. Whilst submicron gap can be reached, thermal effects on hot and cold surfaces stimulate crosswise oscillation, twisting or straining of elements in said gap which causes uncontrolled variations at power output. Primary consideration in designing is assumption of decrease in contact between emitter chips and shell inner surface to allow a goof heat transfer. Photoelectric voltaic elements are directed towards emitter chips to press them against said inner wall.EFFECT: high temperature of heat surface material improves heat transfer between shell surface and emitter chip.19 cl, 13 dwg
Настоящее изобретение относится к технологии термофотоэлектрических преобразователей с микронным зазором (MTPV) для твердотельных преобразований тепла в электричество. Суть заключается в формировании и последующем поддержании маленького расстояния между двумя телами в субмикронном зазоре для улучшения качества преобразования. Пока возможно достичь субмикронного расстояния зазора, термоэффекты на горячей и холодной поверхностях стимулируют поперечное колебание, скручивание или деформацию элементов, происходящие в вариациях в месте зазора, что приводит к неконтролируемым вариациям при выходе мощности. Главным моментом в конструировании является допущение снижения контакта эмиттерных чипов с внутренней поверхностью оболочки, так чтобы происходила хорошая передача тепла. Фотоэлектрические гальванические элементы направляются навстречу эмиттерным чипам, чтобы придавить их к внутренней стенке. Высокая температура материала термоповерхности улучшает передачу тепла между внутренней поверхностью оболочки и эмиттерным чипом. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 13 ил. |
---|